本文關(guān)鍵詞：GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED的n型電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及芯片制備

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【摘要】：首先利用電流路徑模型分析n型電極尺寸及間距等對(duì)垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管(VS-LEDs)電流分布均勻性的影響,依此設(shè)計(jì)出一種螺旋狀環(huán)形結(jié)構(gòu)電極。其次,通過(guò)建立有限元分析軟件Comsol仿真模型模擬VSLEDs有源層的電流密度分布,發(fā)現(xiàn)螺旋狀環(huán)形結(jié)構(gòu)電極的環(huán)間距越小,電流密度分布越均勻。最后,利用VS-LEDs芯片制備技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有螺旋狀環(huán)形電極的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,在350 m A電流驅(qū)動(dòng)下,電極環(huán)間距為146.25μm的芯片具有最大的功能轉(zhuǎn)換效率,達(dá)到26.8%。
【作者單位】： 華南理工大學(xué)廣東省光電工程技術(shù)研究中心物理與光電學(xué)院;
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)(2014AA032609) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61404050) 廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)資金(2012A080302003) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)(2014ZM0036)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 1引言氮化鎵(Ga N)基發(fā)光二極管(LED)自問(wèn)世以來(lái),得到了飛速的發(fā)展,廣泛應(yīng)用于交通信號(hào)、建筑裝飾、全彩顯示、背光源、汽車前照燈以及室內(nèi)外照明等領(lǐng)域[1-2]。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)Ga N基LED芯片通常是指在藍(lán)寶石襯底上制備的n型和p型電極分布于同側(cè)的一種芯片[3]。由于藍(lán)寶石襯底的電絕

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