本文關(guān)鍵詞：NBTI效應對數(shù)字集成電路組合邏輯延遲的影響研究

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【摘要】：深納米量級的工藝下,器件特征尺寸的減小對集成電路的可靠性設(shè)計提出了更高的要求。低電場下的負偏壓溫度不穩(wěn)定(NBTI)效應已然成為影響電路性能的一項重要失效機制。對于數(shù)字電路中的邏輯器件而言,長期受到負偏壓會導致器件的閾值電壓發(fā)生10%以上的偏移,引起電路延遲時間的退化。當柵氧化層厚度降至3nm以下,NBTI效應更成為了限制電路壽命最主要的因素。因此,對數(shù)字邏輯電路中NBTI效應的影響研究迫在眉睫。本文基于優(yōu)化的門級NBTI反應-擴散模型,對數(shù)字組合邏輯電路和時序邏輯電路受NBTI效應的影響進行了研究與分析,設(shè)計了考慮NBTI效應情況下電路延遲時間退化的系統(tǒng)性計算方法。主要工作和成果有：1.確立門級NBTI模型,計算NBTI效應影響下器件的閾值電壓漂移量,并對數(shù)字邏輯電路中的各個邏輯門電路進行考慮閾值電壓漂移的延遲退化仿真,并采用函數(shù)進行數(shù)據(jù)擬合,給出邏輯門電路延遲退化的基本計算方法。2.基于延遲時間的傳遞,提出考慮NBTI效應的數(shù)字邏輯門路徑延遲退化計算思路,對由基本邏輯門串聯(lián)而成的邏輯電路路徑進行考慮NBTI效應的延遲退化分析。3.根據(jù)組合邏輯電路Verilog網(wǎng)表的語法特征,編寫程序設(shè)計電路結(jié)構(gòu)解析器,將組合邏輯電路的路徑信息進行解析。設(shè)計邏輯電路NBTI退化分析器,計算整個組合邏輯電路所有路徑由于NBTI效應導致的延遲退化,并以用戶界面的形式呈現(xiàn),提供對任意組合邏輯電路進行一鍵式路徑解析分析、NBTI退化計算、關(guān)鍵路徑識別、最大延遲計算的整套思路。4.對D觸發(fā)器進行考慮閾值電壓漂移的延遲退化仿真和數(shù)據(jù)擬合,將邏輯路徑延遲退化計算的思路引入時序邏輯,提供計算NBTI效應對時序邏輯電路延遲退化影響的系統(tǒng)性方法。
【學位授予單位】：華東師范大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN431.2

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