發(fā)布時間：2017-11-28 13:04

  本文關(guān)鍵詞：用于S波段的高線性低噪聲放大器

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【摘要】：采用E-mode 0.25μm Ga As p HEMT工藝,2.0 mm×2.0 mm 8-pin雙側(cè)引腳扁平封裝,設(shè)計了一款應(yīng)用于S波段的噪聲系數(shù)低于0.5 d B的低噪聲放大器。通過采用共源共柵結(jié)構(gòu)、有源偏置網(wǎng)絡(luò)和多重反饋網(wǎng)絡(luò)等技術(shù)改進(jìn)了電路結(jié)構(gòu),該放大器具有低噪聲,高增益,高線性等特點,是手持終端應(yīng)用上理想的一款低噪聲放大器。測試結(jié)果表明在2.3 GHz~2.7 GHz內(nèi),增益大于18 d B,輸入回波損耗小于-10 d B,輸出回波損耗小于-16 d B,輸出三階交調(diào)點大于36 d B。
【作者單位】： 廣東工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院;
【分類號】：TN722.3
【正文快照】： 現(xiàn)代移動通信對數(shù)據(jù)傳輸速率越來越高的要求使得無線通信系統(tǒng)的載波頻率普遍進(jìn)入S波段[1],包含這些通信頻段的諸多無線通信系統(tǒng),如移動通信(WCDMA,TD-SCDMA,LTE),無線局域網(wǎng)(WLAN),和衛(wèi)星通信系統(tǒng)(GPS,BDS)等,對各自的射頻前端接收模塊提出了不同的需求。現(xiàn)代智能手機(jī)集成了不

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本文編號：1234042