28nm集成電路銅互連弱堿性阻擋層拋光液性能
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【摘要】:報(bào)道了一種用于技術(shù)節(jié)點(diǎn)為28 nm的集成電路多層銅互連阻擋層化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)的弱堿性?huà)伖庖?pH值為8.5),僅由平均粒徑為20 nm的硅溶膠、FA/O多羥多胺螯合劑及非離子表面活性劑組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,研發(fā)的弱堿性阻擋層拋光液對(duì)犧牲層SiO2、阻擋層Ta及金屬互連線(xiàn)Cu等多種材料具有優(yōu)異的速率選擇性,去除速率一致性大于95%,并在28 nm多層銅布線(xiàn)片阻擋層CMP后具有較高的平坦化性能,分別獲得了20 nm以下深度的碟形坑和蝕坑。通過(guò)電化學(xué)極化曲線(xiàn)測(cè)試表明,此弱堿性阻擋層拋光液能有效減少Cu和Ta之間的腐蝕電位差,并避免了銅互連結(jié)構(gòu)Cu和Ta界面處電偶腐蝕的產(chǎn)生,這對(duì)提高集成電路芯片可靠性具有重要意義。
【作者單位】: 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】:國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專(zhuān)項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02308) 河北省自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目(F2015202267) 河北工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀青年科技創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(2015007)
【分類(lèi)號(hào)】:TN405.97
【正文快照】: 0引言隨著集成電路(IC)芯片向微型化、高密度化、高速化、高可靠化和高集成化發(fā)展,IC芯片特征尺寸越來(lái)越小,銅互連線(xiàn)層數(shù)越來(lái)越高。為了滿(mǎn)足IC銅互連制備工藝中光刻要求的全局及局部納米級(jí)平整度,每層均必須平坦化。而化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)是目前唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局和局部平坦化
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3 雷o(hù)灬,
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