本文關(guān)鍵詞：雙溝道層對氮摻雜非晶氧化銦鋅薄膜晶體管的影響

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【摘要】：采用射頻磁控濺射法,在熱氧化p型硅基片上制備了雙溝道層非晶氧化銦鋅(a-IZO)和氮摻雜氧化銦鋅(a-IZON)薄膜晶體管(TFTs),并研究了雙溝道層對器件電學性能和溫度穩(wěn)定性的影響。研究發(fā)現(xiàn),a-IZO/IZON雙溝道層TFTs具有較高的場效應遷移率,為23.26 cm2/(V?s),并且其閾值電壓相較于單層a-IZO-TFTs正向偏移。這是由于氮摻雜可以減少溝道層中的氧空位,抑制載流子濃度,使器件具有更好的閾值電壓。而a-IZO層避免了由于氮摻雜導致的場效應遷移率和開態(tài)電流的下降,提升了器件的電流開關(guān)比。從298 K至423 K的器件轉(zhuǎn)移特性曲線中發(fā)現(xiàn),雙溝道層器件相較于單溝道層器件的溫度穩(wěn)定性更佳,這可歸因于a-IZON層的保護作用。氮摻雜可以減少氧在背溝道層表面的吸收/解吸反應,改善器件的穩(wěn)定性。
【作者單位】： 復旦大學材料科學系TFT-LCD關(guān)鍵材料及技術(shù)國家工程實驗室;臺灣交通大學光電工程學系;
【基金】：國家自然科學基金重點項目(61136004,61471126)~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】：

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本文編號：1205052