本文關(guān)鍵詞：原子層沉積技術(shù)發(fā)展概況

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【摘要】：隨著原子層沉積(ALD)工藝技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展,不同的ALD工藝在各具發(fā)展優(yōu)勢的同時,也面臨很多問題和挑戰(zhàn)。介紹了ALD工藝的發(fā)展歷程,包括熱原子層沉積(T-ALD)、等離子體增強原子層沉積(PE-ALD)、空間原子層沉積(SALD)及在SALD基礎(chǔ)上發(fā)展起來的Roll-toroll原子層沉積和大氣壓原子層沉積(a ALD)。分析表明,a ALD技術(shù)與等離子體技術(shù)的結(jié)合能夠提高沉積速率、降低沉積溫度并更利于實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn),為ALD技術(shù)在納米電子器件、光伏電池及柔性電子器件等領(lǐng)域中的應(yīng)用提供了更多的契機。
【作者單位】： 北京印刷學(xué)院等離子體物理及材料研究室;
【分類號】：TN60
【正文快照】： osition;plasma enhanced;atmosphere pressure;continuous production20世紀70年代,原子層沉積(ALD)作為一種極具吸引力的薄膜涂層方法而出現(xiàn)[1]。ALD是一種表面自限制的薄膜生長技術(shù),單層原子的一層一層沉積使得ALD能夠在納米范圍內(nèi)對薄膜厚度進行精確控制,沉積的薄膜具有很

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