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碳化硅表面聲子激元激發(fā)

發(fā)布時(shí)間:2017-11-15 05:03

  本文關(guān)鍵詞:碳化硅表面聲子激元激發(fā)


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【摘要】:等離激元光子學(xué)(plasmonics)主要研究的是介觀尺度的金屬結(jié)構(gòu)中的表面等離激元(surface plasmons polariton,SPP)及其光學(xué)性質(zhì)。隨著納米科技的進(jìn)步以及等離激元光子學(xué)在生物、化學(xué)、能源、信息等領(lǐng)域所表現(xiàn)出來(lái)的重要應(yīng)用前景,等離激元光子學(xué)迅速發(fā)展成為一門(mén)新興學(xué)科。與品質(zhì)因子只有1-40的表面等離激元相比,表面聲子激元的品質(zhì)因子超過(guò)了等離激元系統(tǒng)的理論極限,達(dá)到了40-135。本文首先通過(guò)計(jì)算模擬研究了一維光柵結(jié)構(gòu)和二維光子晶體結(jié)構(gòu)耦合出表面聲子激元的條件及其影響因素。其次,我們實(shí)驗(yàn)上通過(guò)在碳化硅(SiC)表面排列聚苯乙烯小球,在碳化硅的全反射Reststrahlen帶內(nèi)激發(fā)聲子共振,實(shí)現(xiàn)表面聲子激元激發(fā)(surface phonon polariton,SPhP)。與傳統(tǒng)的對(duì)碳化硅表面進(jìn)行刻蝕的方法相比,該制備方法不容易破壞碳化硅的表面晶格,激發(fā)的表面聲子激元有較長(zhǎng)的壽命,且制備條件相對(duì)簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn)。本文共有五章。在第一章中,介紹了表面等離激元的光學(xué)性質(zhì),以及限制表面等離激元器件性能的瓶頸因素。第二章,本文從表面聲子激元的理論推導(dǎo)和計(jì)算模擬出發(fā),介紹了激發(fā)碳化硅極性晶體表面聲子激元的方法:類(lèi)似于表面等離激元的激發(fā)方式,通過(guò)在碳化硅表面制作周期性結(jié)構(gòu)來(lái)為入射波提供波矢匹配,實(shí)現(xiàn)表面聲子激元的激發(fā)。第三章,介紹了PECVD法制備非晶碳化硅。制備非晶碳化硅的主要目的是為了驗(yàn)證高品質(zhì)的表面聲子激元激發(fā)取決于高質(zhì)量的晶格排列。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明只有低摻雜碳化硅晶體才能激發(fā)出表面聲子激元。與我們預(yù)測(cè)一致,非晶態(tài)的碳化硅不能激發(fā)表面聲子激元;另外,高摻雜的碳化硅晶體來(lái)作為襯底來(lái)激發(fā)表面聲子激元,同樣不能激發(fā)出表面聲子激元。第四章,介紹了單分散聚苯乙烯微球、二氧化硅微球的制備,然后通過(guò)自組裝方法將聚苯乙烯微球在碳化硅表面排列成二維光子晶體,在不破壞碳化硅晶格的條件下,實(shí)現(xiàn)表面聲子激元的激發(fā)。第五章,做出了總結(jié)及其展望,總結(jié)了表面聲子激元激發(fā)方式,面臨的挑戰(zhàn),做出了未來(lái)的展望。
【學(xué)位授予單位】:上海師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類(lèi)號(hào)】:TN304.24;O441.4

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):1188432

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