本文關鍵詞：新一代功率芯片耐高溫封裝連接國內外發(fā)展評述

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【摘要】：新一代半導體高溫功率芯片可在500℃左右甚至更高的溫度下服役,耐高溫封裝已成為其高溫應用的主要障礙.針對當前高溫功率芯片耐高溫封裝連接問題,從芯片耐高溫封裝連接的結構及要求、芯片的耐高溫封裝連接方法(包括高溫無鉛釬料封裝連接、銀低溫燒結連接、固液互擴散連接和瞬時液相燒結連接)及存在的問題等方面對國內外研究現(xiàn)狀、動態(tài)進行了分析和評述,并提出了今后高溫功率芯片耐高溫封裝連接的研究重點和發(fā)展方向.
【作者單位】： 北京科技大學材料科學與工程學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51474026)
【分類號】：TN405
【正文快照】： 0序言發(fā)展應用于高溫、高功率、高頻等極端環(huán)境中的電子器件是當前電力電子技術領域發(fā)展的重點方向.Si C,Ga N和Al N等是自第一代元素半導體材料(Si)和第二代化合物半導體材料(Ga As,Ga P,In P)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙半導體材料.第一、二代傳統(tǒng)半導體集成電路與器件無法

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本文編號：1172660