發(fā)布時(shí)間：2017-11-11 16:07

  本文關(guān)鍵詞：SiGe-OI微環(huán)諧振器的濾波特性分析

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【摘要】：SiGe-OI微環(huán)諧振器是一種新型半導(dǎo)體材料的諧振器。本文根據(jù)傳輸矩陣法得到微環(huán)諧振器的傳遞函數(shù),研究了上下載濾波器和上、下載端口的性能,分析了SiGe-OI微環(huán)諧振器的濾波特性,以及耦合特性對(duì)濾波特性的影響。通過(guò)模擬軟件建立SiGe-OI微環(huán)諧振器模型,主要對(duì)其結(jié)構(gòu)參數(shù)、耦合系數(shù)、3dB帶寬和消光比等參數(shù)進(jìn)行了分析,仿真了波導(dǎo)寬度、耦合間距、波長(zhǎng)與耦合系數(shù)的關(guān)系,以及耦合系數(shù)對(duì)3dB帶寬和消光比的影響。最終給出了耦合系數(shù)的范圍以及不同耦合系數(shù)下的濾波特性,為SiGe-OI微環(huán)諧振器的研究提供了理論參考。
【作者單位】： 西安工程大學(xué)理學(xué)院;西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61204080) 陜西省教育廳科研計(jì)劃資助項(xiàng)目(15JK1292) 西安工程大學(xué)博士科研啟動(dòng)基金資助項(xiàng)目(BS1128,BS1436);西安工程大學(xué)研究生教育“質(zhì)量工程”資助項(xiàng)目(15yzl10) 陜西省普通高校重點(diǎn)學(xué)科建設(shè)專項(xiàng)資金建設(shè)項(xiàng)目((2008)169)
【分類號(hào)】：TN629.1
【正文快照】： SiGe-OI(Silicon Germanium on Insulator)材料是近幾年興起的一種新型半導(dǎo)體材料,它是在絕緣層的襯底上,通過(guò)分子束外延等方式制作出的一種類似SOI(Silicon on Insulator)的新材料,具有折射率高、禁帶寬度小、傳輸損耗小、對(duì)光波限制能力強(qiáng)、便于光電集成等優(yōu)點(diǎn),因此SiGe-OI

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1172098