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不同溫度下砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕特性研究

發(fā)布時(shí)間:2017-11-11 03:25

  本文關(guān)鍵詞:不同溫度下砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕特性研究


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【摘要】:利用摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕的方法,可在砷化鎵表面加工一系列的納米結(jié)構(gòu);該納米加工方法無需掩膜,且加工效率高、成本低,具有應(yīng)用前景.為了進(jìn)一步研究砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕的特性,優(yōu)化加工參數(shù),本文作者在不同溫度下利用H_2SO_4-H_2O_2溶液對(duì)砷化鎵表面進(jìn)行選擇性刻蝕,考察了刻蝕后所形成的凸起高度及砷化鎵表面粗糙度隨刻蝕時(shí)間和刻蝕溫度的變化規(guī)律,闡釋了溫度對(duì)砷化鎵表面刻蝕的影響機(jī)制;最后從加工高度和表面粗糙度著眼,探討了砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕的最佳條件.本研究為砷化鎵表面選擇性刻蝕加工的條件優(yōu)化提供了重要依據(jù).
【作者單位】: 西南交通大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院摩擦學(xué)研究所;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(51305365) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(20130184120008) 中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(2682015CX037)資助~~
【分類號(hào)】:TN304.23
【正文快照】:

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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;砷化鎵王國神話破滅[J];電子與電腦;2004年08期

2 劉廣榮;;大慶佳昌成功拉制出國內(nèi)第一根直徑200mm砷化鎵單晶[J];半導(dǎo)體信息;2006年03期

3 沈熙磊;;美國制出電子態(tài)超純砷化鎵[J];半導(dǎo)體信息;2011年05期

4 沈仁s,

本文編號(hào):1169618


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