本文關鍵詞：Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管的研究進展

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【摘要】：從器件結構和電學特性等方面,對具有垂直結構和水平結構的Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管的最新研究進展進行了綜述。對于垂直器件,雖然高質量的垂直Ⅲ-Ⅴ族納米線易于獲得,但柵極的邏輯布線難以實現;對于水平結構器件,雖然柵極的邏輯布線與當前的平面硅差異不大,但無催化劑條件下難以選區(qū)定位生長水平Ⅲ-Ⅴ族納米線。硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管不僅能有效提高溝道遷移率等性能,而且可以保證與硅工藝的兼容性,同時降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶體管高昂的成本。研究表明,水平結構的硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線晶體管將具有更大的發(fā)展?jié)摿Α?br/> 【作者單位】： 中國科學院半導體研究所半導體集成技術工程研究中心;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61376096)
【分類號】：TN32
【正文快照】： 0引言傳統晶體管的特征尺寸依照摩爾定律持續(xù)減小,與之相應的是晶體管的性能和集成度穩(wěn)步提升,并不斷推動著微電子產業(yè)發(fā)展。然而,傳統的硅晶體管隨著技術節(jié)點的迭代縮減,特別是特征尺寸突破10 nm以下時,短溝道效應(short channeleffect,SCE)和漏致勢壘降低(drain inducedbarr，

本文編號：1155224