發(fā)布時間：2017-10-23 10:47

  本文關鍵詞：壓接式IGBT芯片的研制

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【摘要】：基于現(xiàn)有工藝平臺開發(fā)了一款具有自主知識產權的3 300V/50A非穿通型(NPT)壓接式IGBT芯片。該芯片元胞采用平面型結構,元胞注入采用自對準工藝,背發(fā)射極采用透明集電極技術。為適用于壓接封裝,避免壓力對MOS溝道的影響,在有源區(qū)淀積第二層厚金屬鋁,并在JFET區(qū)上方用場氧墊高。終端采用場環(huán)+多級場板復合結構,結合橫向的場終止技術,實現(xiàn)高效率的終端結構設計。將此設計進行流片驗證,測試結果顯示擊穿電壓4 200V以上,飽和壓降3.75V,閾值電壓7.1V,實測值和仿真值相差不大。將壓接式芯片封裝成3 300V/600A壓接式模塊,飽和壓降較芯片級偏小0.05V。
【作者單位】： 國網智能電網研究院電工新材料及微電子研究所;
【關鍵詞】： 絕緣柵雙極晶體管 元胞 終端 壓接封裝
【基金】：國家電網公司科技項目《2500V/600A壓接式IGBT模塊關鍵技術研究》(SGRI-WD-71-13-006)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 引言IGBT在電網系統(tǒng)尤其是智能電網中應用越來越廣泛,例如光伏逆變器、充電樁逆變器、FACTS裝置、柔性直流換流閥以及電能質量治理裝置等。壓接式IGBT因其獨特的結構形式及失效機理,被更多地應用于柔性直流輸電及無功補償設備領域。壓接式IGBT相比傳統(tǒng)模塊式IGBT的優(yōu)勢在于取

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2 年曉玲;;插針線纜壓接工藝技術[J];電子質量;2009年06期

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本文編號：1083012