本文關(guān)鍵詞：基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET剩余壽命預(yù)測

  更多相關(guān)文章： MOSFET 相關(guān)向量 劣化模型 剩余壽命 失效閾值 預(yù)測

【摘要】：為了預(yù)測電子系統(tǒng)的重要器件——功率MOSFET剩余使用壽命,基于NASA實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),提出了一種MOSFET剩余壽命預(yù)測方法。首先利用相關(guān)向量機(jī)對(duì)劣化數(shù)據(jù)進(jìn)行回歸擬合,得到相關(guān)向量,并使用相關(guān)向量與回歸擬合結(jié)果結(jié)合獲取代表性向量。然后,基于退化模型,利用最小二乘法實(shí)現(xiàn)參數(shù)辨識(shí)確定劣化模型的參數(shù)。最后,將劣化模型外推到失效閾值,得到功率器件可能失效的時(shí)間,從而獲得MOSFET的剩余使用壽命。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該方法簡單有效。
【作者單位】： 首都師范大學(xué)信息工程學(xué)院;首都師范大學(xué)高可靠嵌入式系統(tǒng)技術(shù)北京市工程研究中心;首都師范大學(xué)電子系統(tǒng)可靠性技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： MOSFET 相關(guān)向量 劣化模型 剩余壽命 失效閾值 預(yù)測
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(No.61202027) 北京市教委科研基地建設(shè)項(xiàng)目(No.TJSHG201310028014) 北京市屬高等學(xué)校創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)建設(shè)與教師職業(yè)發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(No.IDHT20150507)
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 隨著電子系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣,應(yīng)用的環(huán)境越來越復(fù)雜,系統(tǒng)發(fā)生故障的頻率越來越高。據(jù)統(tǒng)計(jì),電子系統(tǒng)中約34%的故障是由電源系統(tǒng)引起的。而電源故障約31%原因是功率器件失效。因此,功率器件的可靠性一直備受關(guān)注。綜合國內(nèi)外研究,功率器件的可靠性分析主要基于模型和基于數(shù)據(jù)

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1072564