本文關(guān)鍵詞：基于數(shù)值模擬的太陽(yáng)能直拉硅單晶熱場(chǎng)降耗研究

  更多相關(guān)文章： 數(shù)值模擬 直拉硅單晶 熱場(chǎng) 功耗

【摘要】：通過(guò)計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬仿真技術(shù)分析了TDR-95A-ZJS型22英寸太陽(yáng)能直拉硅單晶熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)中影響能耗的主要因素�；谀M結(jié)果提出了通過(guò)改變部分熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)及保溫氈布局等優(yōu)化措施可有效降低原有熱場(chǎng)功耗。實(shí)際生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)表明,優(yōu)化后的熱場(chǎng)在保證晶體生長(zhǎng)原有質(zhì)量前提下較原有熱場(chǎng)節(jié)能29%。
【作者單位】： 上海大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 數(shù)值模擬 直拉硅單晶 熱場(chǎng) 功耗
【基金】：上海高校特聘教授(東方學(xué)者)崗位支持計(jì)劃
【分類號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 自進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)隨著半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,對(duì)單晶硅片的需求量日益增加。目前直拉法(Czochralski法)是生產(chǎn)單晶硅常用的方法之一,其顯著優(yōu)勢(shì)是可生產(chǎn)出高質(zhì)量、大直徑的半導(dǎo)體級(jí)或太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片,主要用來(lái)制作LSI、晶體管、傳感器等半導(dǎo)體器件及硅基高效太陽(yáng)能電池[

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1068348