本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用于22nm及以下節(jié)點(diǎn)的極紫外光刻膠研究進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： 極紫外光刻 光刻膠 平衡關(guān)系 材料設(shè)計(jì)

【摘要】：極紫外光刻(EUVL)是最有希望用于22 nm及以下節(jié)點(diǎn)的下一代光刻技術(shù),光刻膠的性能與工藝是其關(guān)鍵技術(shù)之一。EUV光刻膠應(yīng)同時(shí)滿足高分辨率、低線邊緣粗糙度和高靈敏度的要求�；仡櫫藨�(yīng)用于22 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的EUV光刻膠的發(fā)展現(xiàn)狀和面臨的挑戰(zhàn),介紹了EUVL對(duì)光刻膠的基本要求以及分辨率、線邊緣粗糙度(LER)和靈敏度之間的平衡關(guān)系,闡述了LER的形成機(jī)理尤其是LER的降低,從產(chǎn)酸劑、吸收增強(qiáng)、分子尺寸的縮小、酸擴(kuò)增、酸的各向異性擴(kuò)散等材料設(shè)計(jì)方面總結(jié)了可能的光刻膠性能改進(jìn)方案,探討了EUV光刻膠未來的主要研究方向。
【作者單位】： 安慶師范學(xué)院物理與電氣工程學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 極紫外光刻 光刻膠 平衡關(guān)系 材料設(shè)計(jì)
【分類號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 隨著集成電路特征尺寸進(jìn)入22 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn),現(xiàn)有光刻技術(shù)已越來越難以滿足光刻極限尺寸的生產(chǎn)要求。在半導(dǎo)體工業(yè)中,極紫外光刻(ex-treme ultraviolet lithography,EUVL)技術(shù)被國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展協(xié)會(huì)(ITRS)認(rèn)為是最有前景的下一代光刻技術(shù)[1—3],但是,EUV光刻技術(shù)中使用

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 沈熙磊;;2010年全球光刻膠銷售11.5億美元未來3年將保持4.7%的年增長(zhǎng)率[J];半導(dǎo)體信息;2011年04期

2 山峰孝,中村洋一,黃子倫;光學(xué)曝光用光刻膠的種類及其特性[J];微電子學(xué);1980年02期

3 微言;光刻膠圖形塌陷機(jī)理[J];微電子學(xué);1994年04期

4 潘家立;陶玉柱;;半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)微影技術(shù)之關(guān)鍵材料——光刻膠[J];集成電路應(yīng)用;2003年03期

5 來五星,軒建平,史鐵林,楊叔子;微制造光刻工藝中光刻膠性能的比較[J];半導(dǎo)體技術(shù);2004年11期

6 武建宏;張嘉祺;;S-RRC中膜厚均一性的實(shí)現(xiàn)[J];集成電路應(yīng)用;2005年01期

7 姜政,丁桂甫,張永華,倪志萍,毛海平,王志明;疊層光刻膠犧牲層工藝研究[J];微細(xì)加工技術(shù);2005年03期

8 葉枝燦;徐東;王蕓;王莉;吳茂松;;基于光刻膠回流特性的平面化工藝[J];微細(xì)加工技術(shù);2005年04期

9 梁倩倩;王惟;諶星伊;董秋靜;湯嘉陵;;正性小分子光刻膠的制備探索[J];四川理工學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2006年02期

10 任智斌;姜會(huì)林;付躍剛;張磊;田繼文;齊向東;李文昊;;微柱透鏡陣列的全息-光刻膠熱熔制作技術(shù)[J];微細(xì)加工技術(shù);2006年04期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 韓婷婷;李波;李玉香;王卿璞;;超臨界CO_2微乳液對(duì)高濃度離子注入光刻膠的清洗[A];第七屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（第6分冊(cè)）[C];2010年

2 王力元;;193nm光刻膠用光產(chǎn)酸劑研制[A];集成電路配套材料研討會(huì)及參展資料匯編[C];2004年

3 穆啟道;;我國(guó)超凈高純?cè)噭┖凸饪棠z的現(xiàn)狀與發(fā)展[A];電子專用化學(xué)品高新技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)論文集[C];2004年

4 柯旭;巫文強(qiáng);王躍川;;用于玻璃刻蝕的新型光刻膠[A];2006年全國(guó)高分子材料科學(xué)與工程研討會(huì)論文集[C];2006年

5 張曄;陳迪;張金婭;朱軍;劉景全;;UV-LIGA中光源波長(zhǎng)和曝光量對(duì)SU-8光刻膠微結(jié)構(gòu)的影響[A];中國(guó)微米、納米技術(shù)第七屆學(xué)術(shù)會(huì)年會(huì)論文集（一）[C];2005年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條

1 記者 李大慶;我第一條百噸級(jí)高檔光刻膠生產(chǎn)線投產(chǎn)[N];科技日?qǐng)?bào);2009年

2 北京科華微電子材料有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理 陳昕;多方努力尋求高檔光刻膠突破[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

3 蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司技術(shù)部部長(zhǎng) 顧奇;TFT用感光材料國(guó)內(nèi)外技術(shù)懸殊國(guó)內(nèi)化學(xué)品企業(yè)努力追趕[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

4 本文由永光化學(xué)電處技術(shù)發(fā)展部提供;光刻膠在LED工藝上的使用技術(shù)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2004年

5 北京科華微電子材料有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理 陳昕;TFT高性能光刻膠國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

6 北京師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院 王力元　徐娜;產(chǎn)學(xué)研合作加快LCD光刻膠研究[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

7 ;90納米時(shí)代 IC工藝的光刻膠[N];電子資訊時(shí)報(bào);2004年

8 張偉;FSI全新無灰化、濕法光刻膠去除ViPR技術(shù)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2006年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條

1 劉建國(guó);耐高溫紫外正型光刻膠和248nm深紫外光刻膠的研制[D];華中科技大學(xué);2007年

2 唐雄貴;厚膠光學(xué)光刻技術(shù)研究[D];四川大學(xué);2006年

3 李木軍;接近式光刻仿真研究[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年

4 張曉蕾;超聲提高SU-8光刻膠/金屬基底界面結(jié)合強(qiáng)度研究[D];大連理工大學(xué);2015年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 雷國(guó)韜;曲表面光刻膠涂覆技術(shù)研究[D];長(zhǎng)春理工大學(xué);2012年

2 王瑛;紫外厚膠深光刻技術(shù)研究[D];長(zhǎng)春理工大學(xué);2010年

3 朱冬華;三苯胺多枝化合物為引發(fā)劑的光刻膠過程作用的研究與含三苯胺的化合物合成[D];蘇州大學(xué);2010年

4 馮偉;含氟氣體的去光刻膠工藝灰化率提高的研究[D];上海交通大學(xué);2007年

5 陶燾;碘化銫熒光量子點(diǎn)增強(qiáng)光刻膠光刻效果的研究[D];上海交通大學(xué);2013年

6 張春暉;光刻工藝中的曲面膠厚檢測(cè)[D];浙江大學(xué);2010年

7 韓婷婷;超臨界CO_2微乳液去除光刻膠的研究[D];山東大學(xué);2011年

8 劉干;化學(xué)增幅光刻膠及其在電子束光刻中的應(yīng)用[D];江南大學(xué);2008年

9 賴海長(zhǎng);后段干法去除光刻膠工藝研究[D];上海交通大學(xué);2011年

10 李波;超臨界CO_2用于光刻膠去除和低k材料修復(fù)的研究[D];山東大學(xué);2012年

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本文編號(hào)：1037974