本文關(guān)鍵詞：占空比可調(diào)的氮化鎵納米圓臺陣列的制備及其光致發(fā)光效率的研究

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【摘要】：實驗中在p-Ga N層制備單層密排的聚苯乙烯(PS)納米球作為掩模,通過改變納米球掩膜的直徑,制作了周期性的占空比不同的Ga N納米圓臺陣列結(jié)構(gòu)。實驗結(jié)果表明,在歸一化激發(fā)光功率后,p-Ga N層制備納米圓臺陣列的LED出光效率最高增加到參考樣品的3.8倍。三維時域有限差分方法計算表明,周期性納米結(jié)構(gòu)破壞了p-Ga N表面的全反射,增大了LED結(jié)構(gòu)的光輸出臨界角,從而提高LED的光致發(fā)光效率。此外,利用可變的納米球掩�？涛g技術(shù),可以在同一個周期下優(yōu)化納米圓臺的尺寸從而進一步提高LED的出光效率,這可以用等效折射率與薄膜透射率理論來解釋,計算結(jié)果與實驗結(jié)果比較一致。
【作者單位】： 廣東技術(shù)師范學(xué)院電子與信息學(xué)院;廣東技術(shù)師范學(xué)院機電學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 光學(xué)設(shè)計 發(fā)光二極管 納米圖形化 納米球刻蝕 光致發(fā)光
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11174061;11404067;11447181;61475038) 廣東省自然科學(xué)基金(2015A030310213)
【分類號】：TN312.8
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