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直接數(shù)字式頻率合成器單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究

發(fā)布時(shí)間:2017-10-15 03:33

  本文關(guān)鍵詞:直接數(shù)字式頻率合成器單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究


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【摘要】:在直接數(shù)字式頻率合成器(DDS)單粒子效應(yīng)失效現(xiàn)象的基礎(chǔ)上,研制了具備寄存器讀寫(xiě)、功耗電流測(cè)試和輸出效應(yīng)波形捕獲功能的DDS輻射效應(yīng)在線測(cè)試系統(tǒng),開(kāi)展了DDS單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究。結(jié)果表明,單粒子效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致DDS輸出波形擾動(dòng),波形功能中斷,功耗電流陡然增大。分析認(rèn)為:DDS內(nèi)部PLL模塊發(fā)生單粒子瞬態(tài)和單粒子翻轉(zhuǎn),是引發(fā)波形擾動(dòng)的主要原因;內(nèi)置DAC的主要功能寄存器翻轉(zhuǎn)引發(fā)了輸出波形功能中斷;電流增大是單粒子閉鎖引起的。本項(xiàng)研究為國(guó)產(chǎn)DDS器件的加固和考核提供了一定的參考。
【作者單位】: 西北核技術(shù)研究所;強(qiáng)脈沖環(huán)境輻射模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】直接數(shù)字式頻率合成器 單粒子效應(yīng) 波形擾動(dòng) 功能中斷
【分類(lèi)號(hào)】:TN741
【正文快照】: DDS(Direct Digital Synthesis)技術(shù)是一種利用數(shù)字控制信號(hào)的相位增量,把數(shù)字信號(hào)通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)的合成技術(shù)1〗,現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于航天等領(lǐng)域2-3〗?臻g高能粒子會(huì)引起DDS器件單粒子效應(yīng),引發(fā)使用DDS的航天電子學(xué)系統(tǒng)故障。目前,DDS器件單粒子效應(yīng)的主要失效模式

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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2 宋欽岐;單粒子效應(yīng)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);1989年12期

3 韓建偉;張振龍;封國(guó)強(qiáng);馬英起;;單粒子鎖定極端敏感器件的試驗(yàn)及對(duì)我國(guó)航天安全的警示[J];航天器環(huán)境工程;2008年03期

4 田愷;曹洲;薛玉雄;楊世宇;周新發(fā);劉群;彭飛;;反熔絲型現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列單粒子鎖定實(shí)驗(yàn)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2009年09期

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7 薛玉雄;田愷;曹洲;楊生勝;馬亞莉;;激光模擬單粒子效應(yīng)設(shè)備及試驗(yàn)研究進(jìn)展綜述[J];航天器環(huán)境工程;2010年03期

8 宋欽岐;單粒子效應(yīng)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);1985年02期

9 王佩;李磊;;一種基于Weibull函數(shù)的單粒子注入脈沖模型[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2010年09期

10 曹洲;薛玉雄;楊世宇;達(dá)道安;;單粒子效應(yīng)激光模擬試驗(yàn)技術(shù)研究[J];真空與低溫;2006年03期

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2 封國(guó)強(qiáng);馬英起;上官士鵬;姜昱光;韓建偉;陳睿;朱翔;;基于脈沖激光的器件單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法[A];第十四屆全國(guó)日地空間物理學(xué)術(shù)研討會(huì)論文集[C];2011年

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5 于慶奎;張大宇;張海明;唐民;文亮;施蕾;;SRAM FPGA單粒子和總劑量輻射效應(yīng)試驗(yàn)研究[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

6 薛玉雄;田愷;曹洲;;激光模擬系統(tǒng)LSS在星用器件抗SEL加固設(shè)計(jì)中應(yīng)用分析[A];第十屆全國(guó)抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2009年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 王忠明;SRAM型FPGA的單粒子效應(yīng)評(píng)估技術(shù)研究[D];清華大學(xué);2011年

2 劉必慰;集成電路單粒子效應(yīng)建模與加固方法研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 王佩;單粒子效應(yīng)電路模擬方法研究[D];電子科技大學(xué);2010年

2 戴然;單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的模擬和驗(yàn)證技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2013年

3 段雪巖;單粒子脈寬抑制和單粒子測(cè)試方法研究[D];復(fù)旦大學(xué);2011年

4 張?jiān)?槽柵功率MOSFET單粒子效應(yīng)模擬研究[D];哈爾濱工程大學(xué);2013年

5 黃錦杰;抗單粒子翻轉(zhuǎn)SRAM-based FPGA測(cè)試系統(tǒng)的研究與設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2011年

6 史冬霞;數(shù)字集成電路老化預(yù)測(cè)及單粒子效應(yīng)研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2013年

7 魏志超;InP HBT器件單粒子效應(yīng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

8 謝楠;宇航用FPGA單粒子效應(yīng)及監(jiān)測(cè)方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2011年

9 何益百;輻射效應(yīng)地面試驗(yàn)技術(shù)研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2010年

10 劉真;標(biāo)準(zhǔn)單元抗單粒子瞬態(tài)效應(yīng)版圖加固技術(shù)與驗(yàn)證方法研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年



本文編號(hào):1034867

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