本文關(guān)鍵詞：納米柱高度對(duì)GaN基綠光LED光致發(fā)光譜的影響

  更多相關(guān)文章： GaN基LED 綠光LED 納米柱結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光譜

【摘要】：納米柱結(jié)構(gòu)是釋放高In組分InGaN/GaN綠光LED量子阱層應(yīng)變的有效方法。本文采用自組裝的聚苯乙烯微球掩模、感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕和KOH溶液的濕法腐蝕,在GaN基綠光LED外延片上制備了3種高度的納米柱結(jié)構(gòu),通過(guò)掃描電子顯微鏡觀察納米柱結(jié)構(gòu)的形貌,并測(cè)試了常溫和10 K低溫時(shí)的光致發(fā)光譜(PL)。結(jié)果表明:應(yīng)變釋放對(duì)壓電場(chǎng)的影響顯著,使得納米柱結(jié)構(gòu)樣品的內(nèi)量子效率(IQE)提高,PL譜峰值波長(zhǎng)藍(lán)移;應(yīng)變?cè)诹孔于逯械牟痪鶆蚍植歼�使得PL譜半高全寬(FWHM)展寬。與普通平面結(jié)構(gòu)相比,高度為747 nm的納米柱結(jié)構(gòu)可使得IQE提升917%,PL譜峰值波長(zhǎng)藍(lán)移18 nm、FWHM展寬7 nm。另外,納米柱結(jié)構(gòu)樣品的有源區(qū)有效面積減小可使得PL譜FWHM減小。
【作者單位】： 華南理工大學(xué)廣東省光電工程技術(shù)研究開(kāi)發(fā)中心物理與光電學(xué)院;廣州現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院;
【關(guān)鍵詞】： GaN基LED 綠光LED 納米柱結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光譜
【基金】：“863”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2014AA032609) 國(guó)家自然科學(xué)基金(61404050) 廣東省科技計(jì)劃(2014B010119002,2016A010103011) 廣州市珠江科技新星專(zhuān)項(xiàng)(201610010038) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專(zhuān)項(xiàng)資金(2015ZM131)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 1引言為實(shí)現(xiàn)綠光LED,有源層往往需要采用較高In組分的In Ga N量子阱層。而隨著In組分的增加,In-Ga N阱層和Ga N壘層之間的晶格失配增大,使得量子阱層存在較大的應(yīng)變。這一方面導(dǎo)致有源區(qū)的缺陷密度提高,增加了非輻射復(fù)合中心;另一方面由于極化電場(chǎng)導(dǎo)致能帶傾斜,降低了電子-空

【相似文獻(xiàn)】

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