本文關(guān)鍵詞：非配比InP材料研究進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： InP 非配比 點缺陷 位錯 富銦夾雜物

【摘要】：InP的配比度對晶體質(zhì)量及相關(guān)器件性能有重要影響。若In-P熔體為富銦狀態(tài),不僅不容易生長單晶,而且易出現(xiàn)銦夾雜物;若熔體為富磷狀態(tài),則晶體中深能級缺陷將大幅增加,磷富余量過多時容易在晶體尾部產(chǎn)生孔洞,在孔洞周圍位錯密度明顯增加。綜述了與配比相關(guān)的InP材料的研究工作,著重分析了InP相圖、不同配比InP材料制備、配比度的測量、與非配比相關(guān)的缺陷等方面的研究。重點探討了非配比InP材料的制備、與配比相關(guān)缺陷的產(chǎn)生及缺陷對晶體質(zhì)量的影響,對非配比InP的研究方向進(jìn)行了分析和預(yù)測,提出了亟待研究解決的問題。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所專用集成電路重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： InP 非配比 點缺陷 位錯 富銦夾雜物
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51401186) 河北省自然科學(xué)基金資助項目(F2014202184) 天津市自然科學(xué)基金資助項目(15JCZDJC37800)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 0引言磷化銦(In P)是繼硅(Si)、砷化鎵(Ga As)之后最具應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料之一。In P材料為直接帶隙半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度適中、電子遷移率高、抗輻射和熱導(dǎo)率高等優(yōu)異的物理特性。使其成為制備高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)、紅外激光器、發(fā)光二極管，

本文編號：1020086