本文關(guān)鍵詞：納米壓印法制作亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)PI減反射膜

  更多相關(guān)文章： 亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu) 減反射膜 納米壓印 聚酰亞胺 陽(yáng)極氧化

【摘要】：為提高柔性基底太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率,減少表面反射損失,用Tracepro光學(xué)仿真軟件模擬設(shè)計(jì)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)減反射膜尺寸參數(shù),仿真結(jié)果表明亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)薄膜在納米柱高度72 nm,占空比為0.5,光柵周期在300~440 nm處,光通量增強(qiáng)效果最佳.采用納米壓印技術(shù),以多孔結(jié)構(gòu)陽(yáng)極氧化鋁為模板,制作聚酰亞胺基底減反射膜.采用掃描電子顯微鏡和紫外-可見分光光度計(jì)研究了陽(yáng)極氧化技術(shù)所制作的Al2O3模板及其納米壓印技術(shù)等工藝參數(shù)對(duì)PI薄膜透過率的影響.測(cè)試結(jié)果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒壓模式連續(xù)反應(yīng)1 h條件下制備AAO模板,在280℃,800 kg壓力條件下,熱壓印時(shí)間為10 min所得PI膜.在AM1.5大氣質(zhì)量條件下,UV-VIS透射光譜從440~1 000 nm區(qū)域,所制作的薄膜較原始PI膜的透過率提高2%~5%.
【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院;上�？臻g電源研究所;
【關(guān)鍵詞】： 亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu) 減反射膜 納米壓印 聚酰亞胺 陽(yáng)極氧化
【基金】：中國(guó)航天科技集團(tuán)公司航天科技創(chuàng)新基金(2014-YF-0420)
【分類號(hào)】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 太陽(yáng)能電池作為一種高效率、長(zhǎng)壽命、高可靠性的空間能源,在太空中要應(yīng)對(duì)惡劣環(huán)境(真空中高能射線的輻照)、經(jīng)受-185~150℃的高低溫急變沖擊等.現(xiàn)以單晶硅為主的太陽(yáng)能電池陣列,質(zhì)量大,質(zhì)脆等性質(zhì)嚴(yán)重地限制了其在未來空間技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用.柔性基底復(fù)合薄膜太陽(yáng)電池憑借其耗

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本文編號(hào)：947707