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大面積仿生結(jié)構(gòu)特征參數(shù)檢測(cè)及表面性能研究

發(fā)布時(shí)間:2017-09-19 09:35

  本文關(guān)鍵詞:大面積仿生結(jié)構(gòu)特征參數(shù)檢測(cè)及表面性能研究


  更多相關(guān)文章: 激光干涉 大面積 仿生結(jié)構(gòu) 特征參數(shù)


【摘要】:利用激光干涉光刻成本低、高效率和分辨率高的優(yōu)點(diǎn),分別在單晶硅和非晶硅薄膜表面進(jìn)行光刻實(shí)驗(yàn)并實(shí)現(xiàn)大面拼接,對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品特征參數(shù)進(jìn)行檢測(cè),研究參數(shù)對(duì)可見(jiàn)光波段反射率和表面潤(rùn)濕性的影響。論文介紹了減反射和潤(rùn)濕性?xún)煞N仿生結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀、總結(jié)了微納結(jié)構(gòu)特征參數(shù)的檢測(cè)方法。以激光干涉理論為基礎(chǔ),利用計(jì)算機(jī)對(duì)干涉圖形進(jìn)行模擬仿真。通過(guò)改變相關(guān)干涉參數(shù),模擬出各參數(shù)設(shè)置下的二維、三維光強(qiáng)分布圖及對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)分布曲線(xiàn),搭建干涉光路,在單晶硅表面進(jìn)行干涉實(shí)驗(yàn)。在單晶硅研究的基礎(chǔ)上對(duì)非晶硅薄膜表面改性,并研究其減反射性。使用二維微位移平臺(tái)進(jìn)行大面積拼接實(shí)驗(yàn),從而實(shí)現(xiàn)大面積仿生結(jié)構(gòu)的制備。用掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)對(duì)激光刻蝕后的單晶硅和非晶硅薄膜表面結(jié)構(gòu)特征參數(shù)進(jìn)行檢測(cè),并使用反射率測(cè)量?jī)x、接觸角測(cè)量?jī)x對(duì)改性后的單晶硅和非晶硅薄膜表面反射率和潤(rùn)濕性進(jìn)行測(cè)量,分析結(jié)構(gòu)特征參數(shù)對(duì)減反射性能和潤(rùn)濕性的影響。
【關(guān)鍵詞】:激光干涉 大面積 仿生結(jié)構(gòu) 特征參數(shù)
【學(xué)位授予單位】:長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類(lèi)號(hào)】:TN249;TB383.2
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • ABSTRACT5-8
  • 第一章 緒論8-14
  • 1.1 研究背景8
  • 1.2 仿生結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀8-11
  • 1.2.1 國(guó)內(nèi)外減反射結(jié)構(gòu)研究現(xiàn)狀8-10
  • 1.2.2 國(guó)內(nèi)外超疏水結(jié)構(gòu)研究現(xiàn)狀10-11
  • 1.3 微納結(jié)構(gòu)特征參數(shù)檢測(cè)方法11-13
  • 1.3.1 按接觸檢測(cè)方法11-12
  • 1.3.2 非接觸檢測(cè)方法12-13
  • 1.4 論文主要內(nèi)容13-14
  • 第二章 激光干涉原理、模擬仿真及結(jié)構(gòu)的制備14-28
  • 2.1 引言14
  • 2.2 激光干涉原理14-17
  • 2.3 激光干涉MATLAB模擬17-22
  • 2.4 仿生結(jié)構(gòu)的制備22-27
  • 2.4.1 單晶硅光刻實(shí)驗(yàn)22-25
  • 2.4.2 非晶硅薄膜表面光刻實(shí)驗(yàn)25-27
  • 2.5 本章小結(jié)27-28
  • 第三章 大面積仿生結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)28-33
  • 3.1 引言28
  • 3.2 軟硬件系統(tǒng)的搭建及控制28-31
  • 3.2.1 軟硬件系統(tǒng)的構(gòu)成28-29
  • 3.2.2 軟硬件系統(tǒng)的控制29-31
  • 3.2.2.1 硬件部分控制29-30
  • 3.2.2.2 軟件部分控制30-31
  • 3.3 大面積拼接的實(shí)現(xiàn)31-32
  • 3.4 小結(jié)32-33
  • 第四章 特征參數(shù)的測(cè)量及表面性能分析33-43
  • 4.1 引言33-34
  • 4.2 微納結(jié)構(gòu)特征參數(shù)的提取34-38
  • 4.2.1 樣品表面特征參數(shù)檢測(cè)方法34-35
  • 4.2.2 樣品表面結(jié)構(gòu)周期、深度的提取及分析35-38
  • 4.3 微納結(jié)構(gòu)表面性能分析38-42
  • 4.3.1 反射率、潤(rùn)濕性測(cè)量方法38-39
  • 4.3.2 單晶硅和非晶硅薄膜表面反射率和潤(rùn)濕性39-42
  • 4.4 小結(jié)42-43
  • 第五章 總結(jié)與展望43-44
  • 參考文獻(xiàn)44-47
  • 致謝47
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本文編號(hào):880888

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