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單層二硫化鉬納米帶弛豫性能的分子動力學研究

發(fā)布時間:2017-08-25 00:06

  本文關鍵詞:單層二硫化鉬納米帶弛豫性能的分子動力學研究


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【摘要】:采用分子動力學方法,基于REBO勢函數(shù)研究了不同長寬比的單層二硫化鉬納米帶在不同熱力學溫度(0.01—1600 K)條件下的弛豫性能.對弛豫過程中納米帶的能量變化和表面起伏程度進行了分析對比,研究了單層二硫化鉬納米帶自由弛豫的動態(tài)平衡過程.仿真結果顯示:理想溫度(0.01 K)條件下,分子動能較低,振動振幅較小,并不足以使納米帶產(chǎn)生起伏現(xiàn)象;但在室溫或高溫條件下時,納米帶的邊緣及內部均會出現(xiàn)一定程度的起伏;隨著體系溫度的升高以及納米帶長寬比的增加,起伏程度也會增大.最后,討論了不同熱力學溫度條件下,手性對納米帶馳豫性能的影響.研究結果表明,不同于扶手椅型納米帶,鋸齒型納米帶不僅會出現(xiàn)垂直于納米帶表面的起伏和彎曲,同時還會在納米帶面內出現(xiàn)明顯的沿著寬度方向的彎曲現(xiàn)象.
【作者單位】: 西安電子科技大學機電工程學院;香港城市大學機械與生物醫(yī)學工程系;福州大學機械工程及自動化學院;
【關鍵詞】單層二硫化鉬 弛豫性能 手性 分子動力學仿真
【基金】:國家自然科學基金(批準號:51205302,50903017)資助的課題~~
【分類號】:O614.612;TB383.1
【正文快照】: 1引言 2004年英國曼徹斯特大學的Novoselov等[1]采用微機械剝離法從石墨晶體上剝離出石墨烯以來,人們對類石墨烯二維納米材料的研究越來越多[2-5],特別是關于單層二硫化鉬的研究[3-9].二硫化鉬晶體是禁帶寬度為1.29 eV的間接帶隙半導體[10],具有良好的熱穩(wěn)定性、比表面積大、

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