本文關鍵詞：低介電常數(shù)聚酰亞胺基多孔復合材料的研究進展

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【摘要】：隨著微電子工業(yè)的迅速發(fā)展,對層間絕緣材料提出了更高的要求。聚酰亞胺因其良好的熱穩(wěn)定性和較低的介電常數(shù)被廣泛應用于大規(guī)模集成電路的層間絕緣材料。本文主要對低介電常數(shù)聚酰亞胺基復合材料的制備方法進行了綜述,著重介紹了籠型倍半硅氧烷(POSS)、多孔SiO_2、蒙脫石、多金屬氧酸鹽(POMs)、石墨烯衍生物的引入在降低聚酰亞胺介電常數(shù)方面的應用,并對低介電常數(shù)聚酰亞胺的發(fā)展前景進行了展望。
【作者單位】： 大連理工大學建設工程學部;
【關鍵詞】： 介電常數(shù) 聚酰亞胺 多孔 層間絕緣材料
【分類號】：TB33
【正文快照】： 1引言在集成電路工藝中,二氧化硅(SiO2)材料因其極好的熱穩(wěn)定性和低吸濕性一直是金屬互聯(lián)線路間使用的主要層間絕緣材料[1]。然而,隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)的不斷發(fā)展,要求芯片的尺寸越來越小,芯片中信號傳輸?shù)难舆t時間也相應增加,這種延遲時間與金屬層間絕緣材料的介電常

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8 ;[J];;年期

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1 張衛(wèi);王鵬飛;張慶全;丁士進;王季陶;;等離子體化學氣相淀積新型低介電常數(shù)SiCOF介質薄膜[A];第四屆中國功能材料及其應用學術會議論文集[C];2001年

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4 馮堅;張長瑞;王娟;楊大祥;;低介電常數(shù)納米多孔氧化硅薄膜[A];納米材料和技術應用進展——全國第三屆納米材料和技術應用會議論文集（下卷）[C];2003年

5 王娟;張長瑞;馮堅;;低介電常數(shù)納米多孔二氧化硅薄膜的制備研究[A];全國第三屆溶膠—凝膠科學技術學術會議論文摘要集[C];2004年

6 楊揚;趙超越;陳橋;吳剛;;具有“三明治”結構的超低介電膜[A];2011年全國高分子學術論文報告會論文摘要集[C];2011年

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2 賈紅娟;低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜制備與性能研究[D];北京化工大學;2011年

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本文編號：682660