本文關(guān)鍵詞：氣壓對離子源增強(qiáng)磁控濺射制備氮化鋁薄膜的影響，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：目的制備性能優(yōu)異的氮化鋁薄膜。方法采用射頻感應(yīng)耦合離子源輔助直流磁控濺射的方法制備氮化鋁薄膜,在不同的氣壓下,在Si(100)基片和普通玻璃上生長了不同晶面取向的氮化鋁薄膜。使用X射線衍射儀(XRD)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)分析氮化鋁薄膜的結(jié)構(gòu)、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可見分光光度計測定薄膜的透過率,并計算薄膜的禁帶寬度。研究氣壓的大小對磁控濺射制備氮化鋁薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果在各氣壓下,薄膜生長以(100)面取向為主。在0.7 Pa前,(100)面的衍射峰強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),0.7 Pa之后減弱。(002)面衍射峰強(qiáng)度在0.6 Pa之前較大,0.6 Pa之后變小。各氣壓下薄膜表面均方根粗糙度均小于3 nm,且隨著氣壓的增大先增大后減小,0.7 Pa時最大達(dá)到2.678 nm。各氣壓下所制備薄膜的透過率均大于60%,0.7 Pa時薄膜的禁帶寬度為5.4 e V。結(jié)論較高氣壓有利于(100)晶面的生長,較低氣壓有利于(002)晶面的生長;(100)面衍射峰強(qiáng)度在0.7 Pa時達(dá)到最大;隨氣壓的增大,薄膜表面粗糙度先增大后減小;所制備的薄膜為直接帶隙半導(dǎo)體薄膜。
【作者單位】： 華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院;華南師范大學(xué)實驗中心;
【關(guān)鍵詞】： 氣壓 磁控濺射 氮化鋁薄膜 離子源 粗糙度 直接帶隙
【基金】：廣東省自然科學(xué)基金(S2013010012548)~~
【分類號】：TB306
【正文快照】： Received:2015-11-06;Revised:2016-02-09Al N是一種性能優(yōu)異的壓電、介電材料,具有纖鋅礦結(jié)構(gòu),屬于III—V族化合物半導(dǎo)體材料。氮化鋁具有高硬度、高抗擊穿場強(qiáng)(10 k V/m)、高熱導(dǎo)率(3.2 W/(cm·K))、高電阻率(2×1012Ω·cm)等物理特性。Al N具有與氮化鎵、硅相近的熱膨脹系

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