半導體量子點納米材料不但具備很多獨特的物理性質,而且在各類光電器件上具有巨大的潛在應用價值,本論文主要利用光致熒光發(fā)射譜（PL）和時間分辨熒光譜（TRPL）等光致熒光光譜技術研究InAs系列量子點分子納米材料的光學性質,具體的工作主要包括如下三個方面:⑴研究了GaAs間隔層厚度對雙層結構InAs/GaAs量子點分子光學性質的影響。低溫下30ML、40ML和50ML間隔層的三個樣品的光致熒光發(fā)射譜均為雙峰結構,底層量子點（SQDs）和頂層量子點（TQDs）之間存在有效的載流子轉移,而且隨著間隔層厚度變大載流子轉移效率變低;測量了三個樣品TQDs的PL譜峰值位置（Emax）、半峰全寬（FWHM）及積分強度隨溫度的變化,表明隨著GaAs間隔層變大,TQDs和SQDs層間耦合變?nèi)?最后,分析了三個樣品的時間衰退行為（TRPL）,間隔層厚度大的樣品的載流子隧穿時間有明顯延長。⑵研究了Al_0.5Ga_0.5As勢壘層對InAs/GaAs量子點分子光學性質的影響。低溫下InAs/GaAs量子點分子的PL譜為雙峰結構,兩層量子點之間存在有效載流子轉移。插入Al<...

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2.1原子力顯微鏡（AFM）系統(tǒng)結構示意圖

米材料常用的外延制備方法有分子束外延（(MBE）和金技術，半導體納米材料常用的結構和形貌表征方法有X描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）和透射電子顯半導體量子點樣品是在美國加州大學洛杉磯分校加州納納米材料實驗室的固態(tài)分子束外延設備（VEECOGEN-93形貌和結構采....

圖2.2GaSb/GaAs和InAs/GaAs量子點AFM圖像

是原子直徑，r是原子之間的距離。隨著r減小，E變大，當r減小到一定數(shù)值量為+E；反之，當r增大到一定數(shù)值，能量為-E。這樣根據(jù)探針和樣品在掃描生的位置變化，通過探針的偏移量等間接得到材料表面的形貌圖。AFM的掃要包括三種，分別是：接觸式（CONTACTMODE....

圖2.3光學顯微鏡與透射電子顯微鏡成像原理的比較

第2章實驗技術和方法2.2透射電子顯微鏡（TEM）透射電子顯微鏡（Transmissionelectronmicroscope），簡稱透射電鏡，是一種束為照明源，由電磁透鏡聚焦成像的電子光學儀器。1924年，德布羅意計算出電波長；1926年Busch發(fā)現(xiàn)軸對稱....

圖2.4給出了三個樣品的TEM橫截面圖

河北大學工學碩士學位論文了帶電粒子與磁場間的相互作用。當具有一定波長的電子束入射到晶體上拉格條件2sinθ=λ其中，d為晶面距離；為電子束波長，特定角度2θ處產(chǎn)生衍射，這個衍射波焦面聚集成一點，形成衍射點，經(jīng)過電子透鏡在熒光屏上顯示出來，得到電。高分辨電子顯微成像的....

本文編號：4023844