β-NaYF 4 :Yb 3+ ,Tm 3+ /CdSe納米異質結構的合成及近紅外上轉換發(fā)光性能的研究
發(fā)布時間:2024-12-11 00:50
上轉換發(fā)光納米材料能將近紅外光轉換成紫外光和可見光,是近年來的科研熱點之一。其中備受關注的稀土摻雜氟化物納米晶具有聲子能量低、化學穩(wěn)定性好和生物兼容性好等優(yōu)點。紅光(600-700 nm)和近紅外光(700-1,100 nm)被生物組織吸收最小,因此600-1,100 nm波段被稱為生物組織的光學透過窗口。與傳統(tǒng)有機熒光染料和量子點使用紫外光激發(fā)相比,稀土摻雜氟化物納米晶采用近紅外光激發(fā)有利于減少對生物組織的光損傷,提高穿透深度以及降低生物組織的自發(fā)熒光背景,更適合于生物醫(yī)學應用。Yb/Tm共摻的NaYF4納米晶能將近紅外激發(fā)光轉換成紫外、藍光、紅光以及近紅外光,而強烈的紫外和藍光能被生物組織大量吸收引起光損傷。半導體量子點具有較寬的吸收帶,能將紫外或藍光轉換成可見光,熒光性質具有尺寸依賴性的量子限域效應。我們采用CdSe量子點對β-NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶進行表面修飾,合成了β-NaYF4:Yb3+,Tm3+/CdSe納米異質結構復合型材料。實驗結果表明β-NaYF...
【文章頁數】:73 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 納米材料簡介
1.2 稀土摻雜上轉換發(fā)光納米材料
1.2.1 光頻上轉換發(fā)光
1.2.2 光頻上轉換發(fā)光原理
1.2.3 基質材料
1.2.4 敏化劑
1.2.5 激活劑
1.2.6 稀土摻雜NaYF4上轉換發(fā)光納米粒子的合成方法
1.3 半導體量子點
1.3.1 半導體量子點簡介
1.3.2 量子限域效應
1.3.3 CdSe半導體量子點的合成方法
1.4 納米異質結構
1.5 納米材料在生物醫(yī)學上的應用
1.6 本論文主要研究內容及意義
第2章 六角相NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶的可控合成及上轉換發(fā)光性質的研究
2.1 引言
2.2 六角相NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶的制備
2.2.1 實驗試劑
2.2.2 表征儀器與測量
2.2.3 樣品制備
2.3 材料表征與討論
2.3.1 晶體結構
2.3.2 六角相NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶的可控合成
2.3.3 NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶上轉換發(fā)光性質
2.4 本章小結
第3章 纖鋅礦型CdSe半導體量子點的可控合成及其發(fā)光性質的研究
3.1 引言
3.2 纖鋅礦型CdSe半導體量子點的合成
3.2.1 實驗試劑
3.2.2 表征儀器與測量
3.2.3 樣品制備
3.3 材料表征與討論
3.3.1 晶體結構
3.3.2 纖鋅礦型CdSe量子點的可控合成及熒光性質
3.3.3 熒光增強型CdSe/ZnS核殼型量子點
3.4 本章小結
第4章 β-NaYF4:Yb3+,Tm3+/CdSe納米異質結構的合成及其近紅外上轉換發(fā)光
4.1 引言
4.2 β-NaYF4:Yb3+,Tm3+/CdSe納米異質結構的制備
4.2.1 實驗試劑
4.2.2 表征儀器與測量
4.2.3 樣品制備
4.3 材料表征與討論
4.3.1 晶體結構
4.3.2 β-NaYF4:20%Yb3+,0.5%Tm3+/CdSe納米異質結構的上轉換發(fā)光性能
4.3.3 β-NaYF4:20%Yb3+,0.5%Tm3+/CdSe納米異質結構近紅外上轉換發(fā)光機理
4.4 本章小結
第5章 結論與展望
5.1 結論
5.2 展望
參考文獻
作者簡介及科研成果
致謝
本文編號:4015925
【文章頁數】:73 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 納米材料簡介
1.2 稀土摻雜上轉換發(fā)光納米材料
1.2.1 光頻上轉換發(fā)光
1.2.2 光頻上轉換發(fā)光原理
1.2.3 基質材料
1.2.4 敏化劑
1.2.5 激活劑
1.2.6 稀土摻雜NaYF4上轉換發(fā)光納米粒子的合成方法
1.3 半導體量子點
1.3.1 半導體量子點簡介
1.3.2 量子限域效應
1.3.3 CdSe半導體量子點的合成方法
1.4 納米異質結構
1.5 納米材料在生物醫(yī)學上的應用
1.6 本論文主要研究內容及意義
第2章 六角相NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶的可控合成及上轉換發(fā)光性質的研究
2.1 引言
2.2 六角相NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶的制備
2.2.1 實驗試劑
2.2.2 表征儀器與測量
2.2.3 樣品制備
2.3 材料表征與討論
2.3.1 晶體結構
2.3.2 六角相NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶的可控合成
2.3.3 NaYF4:Yb3+,Tm3+納米晶上轉換發(fā)光性質
2.4 本章小結
第3章 纖鋅礦型CdSe半導體量子點的可控合成及其發(fā)光性質的研究
3.1 引言
3.2 纖鋅礦型CdSe半導體量子點的合成
3.2.1 實驗試劑
3.2.2 表征儀器與測量
3.2.3 樣品制備
3.3 材料表征與討論
3.3.1 晶體結構
3.3.2 纖鋅礦型CdSe量子點的可控合成及熒光性質
3.3.3 熒光增強型CdSe/ZnS核殼型量子點
3.4 本章小結
第4章 β-NaYF4:Yb3+,Tm3+/CdSe納米異質結構的合成及其近紅外上轉換發(fā)光
4.1 引言
4.2 β-NaYF4:Yb3+,Tm3+/CdSe納米異質結構的制備
4.2.1 實驗試劑
4.2.2 表征儀器與測量
4.2.3 樣品制備
4.3 材料表征與討論
4.3.1 晶體結構
4.3.2 β-NaYF4:20%Yb3+,0.5%Tm3+/CdSe納米異質結構的上轉換發(fā)光性能
4.3.3 β-NaYF4:20%Yb3+,0.5%Tm3+/CdSe納米異質結構近紅外上轉換發(fā)光機理
4.4 本章小結
第5章 結論與展望
5.1 結論
5.2 展望
參考文獻
作者簡介及科研成果
致謝
本文編號:4015925
本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/4015925.html
最近更新
教材專著