金剛石/銅復(fù)合材料界面優(yōu)化與熱性能研究
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1金剛石的晶體結(jié)構(gòu)
碩士學(xué)位論文8個(gè)碳原子組成,室溫下其晶格常數(shù)為0.3道與其相鄰的4個(gè)碳原子構(gòu)成共價(jià)單鍵。連接,其配位數(shù)為4,鍵角為109°28′,鍵長(zhǎng)四面體。由于金剛石獨(dú)特的結(jié)構(gòu),其上的碳部碳原子價(jià)電子都參與了共價(jià)鍵的形成,所。理想情況下,在金剛石{111}表面上的最外表面應(yīng)存在兩....
圖1.2噴射沉積制備復(fù)合材料的示意圖
圖1.2噴射沉積制備復(fù)合材料的示意圖[37]此方法是利用熔點(diǎn)比增強(qiáng)體低的金屬或合金在熔融狀的工藝,孔隙率即是基體填充的體積分?jǐn)?shù),熔滲可分壓熔滲法一般制備潤(rùn)濕角小于90°(潤(rùn)濕性良好)的兩內(nèi)部的孔隙對(duì)金屬熔體產(chǎn)生毛細(xì)管力將金屬熔體吸入屬熔點(diǎn)以上溫度,通過施加機(jī)械壓力或者惰性氣....
圖2.1實(shí)驗(yàn)工藝流程圖
圖2.1實(shí)驗(yàn)工藝流程圖.2包覆層的制備采用自制的MIS800型多功能離子束磁控濺射復(fù)合鍍膜儀完成金剛石表覆層的鍍覆。該設(shè)備由四個(gè)考夫曼離子源、兩個(gè)磁控靶、兩個(gè)離子靶組離子源包括兩個(gè)濺射離子源,一個(gè)中能注入離子源和一個(gè)低能輔助離子磁控靶可采用直流、脈沖、射頻電源,而且靶基....
圖3.1鉻包覆層厚度與沉積時(shí)間的關(guān)系
金剛石/銅復(fù)合材料界面優(yōu)化與熱性能研究材,使其發(fā)生濺射而沉積在基體表面。其沉積速基距等有關(guān),所以為了簡(jiǎn)化實(shí)驗(yàn),本實(shí)驗(yàn)通過固不同沉積時(shí)間來獲得不同鉻包覆厚度的金剛石7.19g·cm-3,金剛石密度為3.52g·cm-3,代入估度與沉積時(shí)間的關(guān)系,如圖3.1所示,從圖中可....
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