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金剛石/銅復(fù)合材料界面優(yōu)化與熱性能研究

發(fā)布時(shí)間:2024-06-02 18:10
  金剛石/銅復(fù)合材料是具有巨大潛力的先進(jìn)封裝材料之一,因其具有較高的熱導(dǎo)率、較低的熱膨脹系數(shù)及適中的密度而受到眾多研究者的青睞。但因金剛石具有特殊的晶體結(jié)構(gòu)與極強(qiáng)的化學(xué)惰性,很難與純銅形成良好的界面結(jié)合。為了優(yōu)化界面、得到綜合性能優(yōu)異的復(fù)合材料,揭示復(fù)合材料界面結(jié)合狀態(tài)對(duì)其熱性能的影響規(guī)律,本文通過磁控濺鍍覆法對(duì)金剛石顆粒進(jìn)行了Cr、W包覆層設(shè)計(jì)與調(diào)控,采用壓力輔助熔滲法制備了金剛石/銅復(fù)合材料。系統(tǒng)研究了Cr、W包覆層的物相組成、厚度對(duì)復(fù)合材料界面結(jié)合與熱導(dǎo)率的影響,采用XRD、SEM對(duì)包覆層、復(fù)合材料界面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,揭示了復(fù)合材料界面特性與熱傳導(dǎo)性能之間的關(guān)系,主要的研究結(jié)果如下:(1)金剛石顆粒表面采用磁控濺射鍍覆的Cr、W包覆層均勻致密,通過調(diào)控沉積時(shí)間可以得到45-1100 nm的包覆層。對(duì)200 nm的Cr(300 nm的W)包覆金剛石經(jīng)600℃-900℃(900℃-1200℃)退火后,包覆層的物相均由金屬單質(zhì)變成了碳化物,除此之外,Cr包覆層中還有氧化物生成,退火過程中兩種包覆層表面未見開裂、脫落現(xiàn)象;低溫退火處理時(shí)Cr、W包覆的金剛石存在選擇性界面粘結(jié)現(xiàn)象,包覆層僅能...

【文章頁(yè)數(shù)】:76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1金剛石的晶體結(jié)構(gòu)

圖1.1金剛石的晶體結(jié)構(gòu)

碩士學(xué)位論文8個(gè)碳原子組成,室溫下其晶格常數(shù)為0.3道與其相鄰的4個(gè)碳原子構(gòu)成共價(jià)單鍵。連接,其配位數(shù)為4,鍵角為109°28′,鍵長(zhǎng)四面體。由于金剛石獨(dú)特的結(jié)構(gòu),其上的碳部碳原子價(jià)電子都參與了共價(jià)鍵的形成,所。理想情況下,在金剛石{111}表面上的最外表面應(yīng)存在兩....


圖1.2噴射沉積制備復(fù)合材料的示意圖

圖1.2噴射沉積制備復(fù)合材料的示意圖

圖1.2噴射沉積制備復(fù)合材料的示意圖[37]此方法是利用熔點(diǎn)比增強(qiáng)體低的金屬或合金在熔融狀的工藝,孔隙率即是基體填充的體積分?jǐn)?shù),熔滲可分壓熔滲法一般制備潤(rùn)濕角小于90°(潤(rùn)濕性良好)的兩內(nèi)部的孔隙對(duì)金屬熔體產(chǎn)生毛細(xì)管力將金屬熔體吸入屬熔點(diǎn)以上溫度,通過施加機(jī)械壓力或者惰性氣....


圖2.1實(shí)驗(yàn)工藝流程圖

圖2.1實(shí)驗(yàn)工藝流程圖

圖2.1實(shí)驗(yàn)工藝流程圖.2包覆層的制備采用自制的MIS800型多功能離子束磁控濺射復(fù)合鍍膜儀完成金剛石表覆層的鍍覆。該設(shè)備由四個(gè)考夫曼離子源、兩個(gè)磁控靶、兩個(gè)離子靶組離子源包括兩個(gè)濺射離子源,一個(gè)中能注入離子源和一個(gè)低能輔助離子磁控靶可采用直流、脈沖、射頻電源,而且靶基....


圖3.1鉻包覆層厚度與沉積時(shí)間的關(guān)系

圖3.1鉻包覆層厚度與沉積時(shí)間的關(guān)系

金剛石/銅復(fù)合材料界面優(yōu)化與熱性能研究材,使其發(fā)生濺射而沉積在基體表面。其沉積速基距等有關(guān),所以為了簡(jiǎn)化實(shí)驗(yàn),本實(shí)驗(yàn)通過固不同沉積時(shí)間來獲得不同鉻包覆厚度的金剛石7.19g·cm-3,金剛石密度為3.52g·cm-3,代入估度與沉積時(shí)間的關(guān)系,如圖3.1所示,從圖中可....



本文編號(hào):3987609

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