影響LED出光效率的關(guān)鍵因素是芯片頂部的封裝材料,芯片頂部封裝要求材料具有高透光率、高折射率和高抗老化能力。對納米MgO和納米ZnO進(jìn)行表面改性處理,并按一定的比例加入到環(huán)氧樹脂中,制備出LED頂部封裝材料,既提高了LED的出光效率又簡化了封裝工藝。結(jié)果表明,在納米ZnO和納米MgO的共同作用下,LED的出光效率相對于純環(huán)氧封裝提高了10.57%,相對于有機(jī)硅樹脂雙層結(jié)構(gòu)封裝提高了11.14%,同時(shí)提高了LED封裝材料的光學(xué)穩(wěn)定性。

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圖１ＬＥＤ封裝結(jié)構(gòu)示意圖Ｆｉｇ．１ＰａｃｋａｇｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＬＥＤ

為大功率ＬＥＤ的封裝材料Ｅ－ｍａｉｌ：ｇｏｎｇｊｉｎｇｃｑｕ＠ｆｏｘｍａｉｌ．ｃｏｍ牟其伍：通訊作者，男，１９５５年生，教授，碩士生導(dǎo)師，主要從事電子電器和大功率ＬＥＤ的封裝及相關(guān)材料的研發(fā)Ｅ－ｍａｉｌ：ｑｗｍｃｑｕ＠１６３．ｃｏｍ０引言目前大功率ＬＥＤ結(jié)構(gòu)如圖１所示，主要包括芯....

圖３納米ＭｇＯ（ａ）和納米ＺｎＯ（ｂ）的ＸＲＤ射線衍射圖Ｆｉｇ．３Ｘ－ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎｐａｔｔｅｒｎｏｆＭｇＯ（ａ）ａｎｄＺｎＯ（ｂ）１．２樣品制備

ａｎｄＰＣｄｏｕｂｌｅｌａｙｅｒｐａｃｋａｇｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ（ａ），ｅｐｏｘｙｒｅｓｉｎｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｉｎｇｌｅｌａｙｅｒｐａｃｋａｇｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ（ｂ）１樣品制備１．１實(shí)驗(yàn)原料實(shí)驗(yàn)選擇透明性好的雙酚Ａ型環(huán)氧樹脂作為基底材料，改性顆粒為南京愛普瑞復(fù)合材料公司生產(chǎn)的....

圖４樣品制備實(shí)驗(yàn)流程圖Ｆｉｇ．４Ｔｈｅｆｌｏｗｃｈａｒｔｏｆｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓａｍｐｌｅｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ

０．８９，β是半峰寬度，θ為衍射峰中心角度值的１／２，經(jīng)計(jì)算得出納米ＭｇＯ和納米ＺｎＯ平均粒徑為５０ｎｍ。圖３納米ＭｇＯ（ａ）和納米ＺｎＯ（ｂ）的ＸＲＤ射線衍射圖Ｆｉｇ．３Ｘ－ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎｐａｔｔｅｒｎｏｆＭｇＯ（ａ）ａｎｄＺｎＯ（ｂ）１．２樣品制備使用硅烷偶聯(lián)劑....

圖９納米ＭｇＯ／ＺｎＯ／ＥＰ復(fù)合材料老化前后的透光率Ｆｉｇ．９ＴｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｏｆＭｇＯ／ＺｎＯ／ＥＰｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓｂｅｆｏｒｅ

圖８納米ＭｇＯ／ＺｎＯ／ＥＰ復(fù)合材料的折射率（ａ）和透光率（ｂ）Ｆｉｇ．８Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ（ａ），ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅｉｎｄｅｘ（ｂ）ｏｆＭｇＯ／ＺｎＯ／ＥＰｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ圖９為６個(gè)不同配比的復(fù)合材料樣品經(jīng)過４８０ｈ紫外老化前后的透光率曲線及配比含量。從圖....

本文編號：3978215