熱電材料是一種可以實現(xiàn)熱能與電能之間直接相互轉(zhuǎn)換的新型能源材料,具有廣泛的應(yīng)用前景。低維結(jié)構(gòu)可以通過增強材料的界面聲子散射從而降低材料的熱導(dǎo)率,提高材料的熱電性能。Bi₂Te₃作為室溫附近應(yīng)用最廣泛的傳統(tǒng)熱電材料,通過低維化處理,能夠顯著優(yōu)化其熱電輸運性質(zhì),其研究是一個十分重要的研究領(lǐng)域,顯示出很大的應(yīng)用潛力。已有的研究主要集中在納米晶塊體材料,對薄膜了解較少。本論文主要針對Bi₂Te₃基熱電納米晶薄膜的真空熱蒸發(fā)生長、結(jié)構(gòu)調(diào)控和物性上開展了研究工作,得到了以下主要結(jié)果:(1)首次采用真空熱蒸發(fā)技術(shù)在SiO₂襯底上成功制備了具有(00l)高度取向的Bi₄Te₃納米柱陣列薄膜,對樣品進行了詳細(xì)的結(jié)構(gòu)與電輸運性能表征,討論了蒸發(fā)源溫度和襯底溫度對Bi₄Te₃薄膜的成相及其微結(jié)構(gòu)的生長的影響。結(jié)果表明,得到的薄膜樣品具有納米柱陣列的微結(jié)構(gòu)和(00l)高度取向;Bi₄Te

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

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本文編號：3956559