導(dǎo)電高分子復(fù)合材料是將導(dǎo)電填料摻雜到高聚物基體中制得的具有導(dǎo)電性能的復(fù)合材料，由于其在電容器、傳感器、抗靜電復(fù)合材料等多個(gè)領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，因而日益受到人們的重視。常用的導(dǎo)電填料有很多種類，其中炭黑由于經(jīng)濟(jì)適用以及性能穩(wěn)定一直得到了廣泛的關(guān)注。然而，如何改善炭黑的分散與分布狀態(tài)，降低復(fù)合材料的導(dǎo)電逾滲閾值，利用剪切流場調(diào)控聚合物基體中的導(dǎo)電填料網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來調(diào)控高分子復(fù)合材料的導(dǎo)電性能，以及材料的結(jié)構(gòu)與流變性能之間的內(nèi)在關(guān)系等諸多方面還存在很多科學(xué)問題有待解決。本論文制備了內(nèi)部含有規(guī)則平行條帶結(jié)構(gòu)的PP/SEBS/CB復(fù)合材料，系統(tǒng)地研究不相容聚合物共混體系中炭黑導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的微觀調(diào)控，并以此為前提進(jìn)一步探討了復(fù)合材料的導(dǎo)電性能與流變性能。主要研究如下： 1.通過剪切流場誘導(dǎo)零維炭黑(CB)在聚丙烯(PP)/聚(苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)嵌段共聚物(SEBS)不相容聚合物共混物中自組裝形成規(guī)則的平行炭黑條帶結(jié)構(gòu)，從而得到了具有更加顯著的導(dǎo)電各向異性的復(fù)合薄膜。利用配有光學(xué)顯微鏡的剪切臺實(shí)時(shí)觀察并分析剪切誘導(dǎo)過程中炭黑條帶的形成與形貌演化過程，顯微鏡表征結(jié)果發(fā)現(xiàn)無論是否經(jīng)過剪切，復(fù)合材...

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1炭黑微結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.1炭黑微結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1.1Schematicofcarbonblackmicrostructure相容聚合物導(dǎo)電復(fù)合材料的研究進(jìn)展的介紹，發(fā)現(xiàn)炭黑本身具有頗多的優(yōu)異性能，所以在不相填料制備導(dǎo)電高分子復(fù)合材料，可以賦予復(fù)合型材料持久阻率也可以在較大的范....

圖1.2(a,b)三元導(dǎo)電共混物熔融共混過程中的相形態(tài)變化示意圖(15分鐘,40分鐘)；(c)不同共混時(shí)間下2wt%炭黑填充量的復(fù)合材料(46/54)的厚度時(shí)間曲線圖

料也可以搭接成一定的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，因此相對于其它類型的填料分，復(fù)合材料的逾滲閾值一般較低，其導(dǎo)電性能也較強(qiáng)。Cheah等[21]研SAN/PS復(fù)合體系中的分布情況，根據(jù)炭黑在PS和SAN之間的遷移機(jī)從PS相向SAN相遷移的傾向，所以作者首先將炭黑與PS熔融....

圖1.3炭黑填充型高分子復(fù)合材料的炭黑含量與電導(dǎo)率曲線圖

研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)，聚3）。聚合物基體與導(dǎo)電填料之要因素。Gul等[27]發(fā)表了炭黑填黑填充酚醛體系比炭黑填充環(huán)與環(huán)氧樹脂的相容性較差所導(dǎo)樹脂體系中，形成適當(dāng)?shù)膱F(tuán)聚料的時(shí)候，如果利用不同結(jié)晶度的差異會對復(fù)合材料的電學(xué)度越大，復(fù)合材料的導(dǎo)電性能復(fù)合材料電導(dǎo)率時(shí)就發(fā)現(xiàn)了這也對聚合物基導(dǎo)電....

圖1.4(左上圖)取向分布的石墨微片-高分子復(fù)合材料的制備裝置；(右上圖)電場

如炭黑、碳納米管、石墨微片、碳纖維等[35-40]，外一種，直流電場或交流電場都可以達(dá)到相同的效果。當(dāng)使用強(qiáng)度超過一定范圍，體系會出現(xiàn)一種無益的電泳干擾現(xiàn)象，的出現(xiàn)，科研工作者們傾向于選擇交流電場進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究。究了在環(huán)氧樹脂基底下，利用電場誘導(dǎo)炭黑粒子在一定條件量了復(fù)合材料的導(dǎo)電....

本文編號：3953623