發(fā)布時(shí)間：2024-04-06 21:41

　　隨著“大數(shù)據(jù)時(shí)代”的到來(lái),數(shù)據(jù)已經(jīng)從原來(lái)簡(jiǎn)單的被處理對(duì)象轉(zhuǎn)變?yōu)槔斫猬F(xiàn)有世界支持后續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)性資源,對(duì)其存儲(chǔ)密度與容量增加的需求呈爆炸式增長(zhǎng)。傳統(tǒng)光存儲(chǔ)在大數(shù)據(jù)時(shí)代滿足對(duì)數(shù)據(jù)長(zhǎng)期、安全、高效存儲(chǔ)需求上具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),然而,目前普通光盤(pán)存儲(chǔ)年限不超過(guò)百年,隨著數(shù)據(jù)量的暴增,光盤(pán)制作會(huì)造成巨大的資源浪費(fèi),因此制備能長(zhǎng)久保存的光盤(pán)將是時(shí)代的必然挑戰(zhàn)。本論文提出了一種新型納米組裝結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)介質(zhì),能很大程度上延長(zhǎng)光盤(pán)的壽命值,即以多孔氧化鋁薄膜為支撐,包裹氧化硅薄膜的金納米棒(GNRs)無(wú)序的分散在其中形成無(wú)機(jī)介質(zhì)光盤(pán)。由于采用不同波長(zhǎng)、不同偏振態(tài)取向的激光脈沖可以選擇性地?zé)g此存儲(chǔ)介質(zhì)中的GNRs,使其在傳統(tǒng)空間三維上,增加了偏振態(tài)和激光波長(zhǎng)兩個(gè)維度,實(shí)現(xiàn)在同一區(qū)域存儲(chǔ)不同數(shù)據(jù)的多維存儲(chǔ),進(jìn)而使得存儲(chǔ)容量大大提高,為實(shí)現(xiàn)高密度激光五維存儲(chǔ)技術(shù)作出重要貢獻(xiàn)。采用金種法制備以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為表面活性劑的長(zhǎng)徑比為3、直徑15nm的GNRs,再通過(guò)聚乙烯吡咯烷酮(PVP)置換其表面的CTAB,并在表面包裹一層30nm厚的介孔二氧化硅(Si O2),采用二次陽(yáng)極氧化法制備孔徑300nm...

【文章頁(yè)數(shù)】：67 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 光存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展
    1.3 本課題的提出及主要內(nèi)容
第二章 理論基礎(chǔ)與技術(shù)原理
    2.1 多孔陽(yáng)極氧化鋁薄膜
        2.1.1 多孔陽(yáng)極氧化鋁薄膜(AAO)簡(jiǎn)介
        2.1.2 多孔氧化鋁模板的類型及其結(jié)構(gòu)模型
        2.1.4 多孔陽(yáng)極氧化鋁薄膜的應(yīng)用
    2.2 金納米棒
        2.2.1 金納米棒簡(jiǎn)介
        2.2.2 金納米棒的制備
        2.2.3 GNRs及GNRs@SiO₂的光譜特征
        2.2.4 GNRs@SiO₂的表面電勢(shì)
        2.2.5 GNRs在光存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用
    2.3 電泳沉積技術(shù)
        2.3.1 電泳沉積技術(shù)
        2.3.2 電泳沉積原理
        2.3.3 電泳沉積技術(shù)的最新應(yīng)用
第三章 AAO模板的制備
    3.1 主要試驗(yàn)材料及設(shè)備
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)材料
        3.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器及主要設(shè)備介紹
    3.2 AAO 模板制備工藝
        3.2.1 鋁片預(yù)處理
        3.2.2 陽(yáng)極氧化過(guò)程
        3.2.3 后處理
    3.3 形貌測(cè)試結(jié)果及分析
        3.3.1 磷酸電解液中制備的AAO模板
        3.3.2 AAO模板制備的工藝分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 存儲(chǔ)介質(zhì)的制備及表征
    4.1 主要實(shí)驗(yàn)材料及設(shè)備
        4.1.1 實(shí)驗(yàn)材料
        4.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器及主要設(shè)備介紹
        4.1.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
    4.2 GNRs@SiO₂/AAO制備的工藝過(guò)程
        4.2.2 GNRs@SiO₂的制備
        4.2.3 GNRs@SiO₂顆粒填充AAO模板
    4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析及相關(guān)測(cè)試分析
        4.3.1 PVP處理的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和相關(guān)分析
            4.3.1.1 GNRs溶膠與溫度的關(guān)系
            4.3.1.2 GNRs溶膠與PVP的量的關(guān)系
        4.3.2 GNRs的相關(guān)測(cè)試
            4.3.2.1 透射電子顯微鏡對(duì)GNRs的形貌觀察
            4.3.2.2 GNRs的紫外吸收光譜測(cè)試
            4.3.2.3 GNRs的Zeta測(cè)試
        4.3.3 GNRs@SiO₂的相關(guān)測(cè)試
            4.3.3.1 GNRs@SiO₂顆粒的形貌特征
            4.3.3.2 GNRs@SiO₂ 的吸收光譜測(cè)試
            4.3.3.3 GNRs@SiO₂的ZETA測(cè)試
    4.4 GNRs@SiO₂電泳過(guò)程現(xiàn)象分析及其測(cè)試結(jié)果
        4.4.1 GNRs@SiO₂電泳過(guò)程出現(xiàn)聚集現(xiàn)象
        4.4.2 在去離子水、磷酸溶液、GNRs@SiO₂溶液中電泳
        4.4.3 GNRs@SiO₂/AAO模板在掃描電子顯微鏡下的結(jié)構(gòu)
    4.5 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士期間發(fā)表的論文



本文編號(hào)：3947203