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基于介電泳效應(yīng)的高速拋光電極分布仿真研究與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

發(fā)布時(shí)間:2024-03-28 06:08
  目的解決傳統(tǒng)平面環(huán)拋過程中存在的兩種問題:(1)拋光液受拋光盤和工件旋轉(zhuǎn)離心力作用而拋光液在加工區(qū)域分布不均,導(dǎo)致加工工件高平面度差;(2)拋光液受到的離心力作用限制了拋光盤轉(zhuǎn)速,導(dǎo)致拋光效率低。方法提出一種基于介電泳效應(yīng)的平面拋光方法(DEPP),在拋光區(qū)域增加一個(gè)非均勻電場,利用中性粒子在非均勻電場中極化后受介電泳力的作用,使其具有向電極和拋光區(qū)域中心運(yùn)動(dòng)的現(xiàn)象,降低旋轉(zhuǎn)離心力對拋光液的甩出作用,實(shí)現(xiàn)對平面工件的高速、高精度拋光。采用有限元分析軟件數(shù)值模擬極化后磨粒所受介電泳力對離心力的抑制作用,優(yōu)化產(chǎn)生非均勻電場的不同電極寬度,得到最優(yōu)非均勻電場電極分布參數(shù),實(shí)際測量優(yōu)化電極后拋光液所受介電泳力的大小和方向,最后搭建試驗(yàn)平臺(tái)驗(yàn)證介電泳效應(yīng)高速拋光平面工件的有效性。結(jié)果提高拋光盤轉(zhuǎn)速,進(jìn)行拋光磨砂玻璃對比實(shí)驗(yàn),加工1 h以后,采用介電泳效應(yīng)拋光能完全去除玻璃磨砂層,工件平整度好,最終RMS值為0.276λ;無介電泳效應(yīng)拋光后,工件中心部分磨砂層仍有存在,工件平整度相對較差,最終RMS值為0.694λ。通過測量加工去除量,介電泳效應(yīng)拋光比無介電泳效應(yīng)拋光的去除率提升了18%結(jié)論通過仿...

【文章頁數(shù)】:9 頁

【部分圖文】:

圖11不同上下電極寬度下磨粒運(yùn)動(dòng)仿真結(jié)果

圖11不同上下電極寬度下磨粒運(yùn)動(dòng)仿真結(jié)果

如圖10所示,當(dāng)上電極板面積大于下電極板面積時(shí),下電極板寬度較小,電勢分布較集中,沿著電場線向下極板處的電場強(qiáng)度變化最快,因此磨粒向下電極板靠近。當(dāng)上電極板面積小于下電極板時(shí),因?yàn)樯想姌O板處的電勢分布較集中,沿著電場線向上極板處的電場強(qiáng)度變化最快,磨粒向上電極板靠近。為了使垂直方....


圖12d1=4mm及d2=6mm時(shí)磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡

圖12d1=4mm及d2=6mm時(shí)磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡

由圖11可得,當(dāng)d1>d2時(shí),磨粒向下電極板運(yùn)動(dòng),且d1=4mm、d2=1mm時(shí),磨粒第一次接觸下電極板距離入口處水平方向的距離d為33mm;當(dāng)d1≤d2時(shí),磨粒向上電極板運(yùn)動(dòng),且d1=4mm、d2=6mm時(shí),磨粒第一次接觸上電極板距離入口處水平方向的距離d為17mm....


圖13介電泳力測量平臺(tái)原理及實(shí)物

圖13介電泳力測量平臺(tái)原理及實(shí)物

在電源未接入時(shí),三維傳感器測得Z向的力為-0.03N左右,X方向的力為0N。在大約4.3s處打開電源后,拋光液受介電泳力并開始震動(dòng),Z向介電泳力波峰的最小值約為1.39N,波谷的最大值約為-0.69N;X向介電泳力波峰的最小值約為0.35N,波谷的最大值約為-0.15....


圖14最佳電極參數(shù)下介電泳力測量結(jié)果

圖14最佳電極參數(shù)下介電泳力測量結(jié)果

圖13介電泳力測量平臺(tái)原理及實(shí)物4實(shí)驗(yàn)和討論



本文編號(hào):3941117

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