本文利用有籽晶的HPVGF法生長了尺寸為■54 mm×25 mm的高質量CdSe單晶,晶體為纖鋅礦結構,(002)和(110)面的XRD搖擺曲線半高寬分別為54.4″和45.6″。使用紅外顯微鏡和掃描電鏡-能譜分析儀對晶體內部的夾雜相進行測試,表明晶體內部存在小尺寸富Se夾雜相。CdSe晶片在2.5～20μm范圍內的透過率高于68%,平均吸收系數為0.037 cm^-1。制備出尺寸為10 mm×12 mm×50 mm且滿足第Ⅱ類相位匹配條件的CdSe晶柱,在重頻1 kHz,波長2.09μm的Ho∶YAG調Q泵浦源激勵下,實現了中心波長為11.47μm,線寬為33.2 nm的激光輸出,最大輸出功率為389 mW。

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【部分圖文】：

圖2(002)和(110)晶面的XRD測試圖譜

2.1結晶質量分析圖2為(002)和(110)晶片在2θ為10°～90°的XRD全譜測試結果,由圖可以看出,兩個晶面的測試衍射峰均與六方相CdSe標準圖譜(JCPDSCardNo.653415)中給出的相應晶面衍射峰吻合,無雜峰出現,表明所生長的CdSe晶體為單晶,具有六方....

圖3(002)和(110)面晶片的X射線搖擺曲線

圖2為(002)和(110)晶片在2θ為10°～90°的XRD全譜測試結果,由圖可以看出,兩個晶面的測試衍射峰均與六方相CdSe標準圖譜(JCPDSCardNo.653415)中給出的相應晶面衍射峰吻合,無雜峰出現,表明所生長的CdSe晶體為單晶,具有六方纖鋅礦結構。圖3(a....

圖4晶體夾雜物的紅外顯微圖(a)和SEM照片(b),夾雜物(c)和無夾雜物(d)區(qū)域的EDS圖譜

在紅外顯微鏡低倍物鏡觀測下,晶片內部的透光性好,無大尺寸吸光包裹物缺陷,使用50×物鏡可觀測到晶體內部某些區(qū)域內存在一些襯度較低的黑色夾雜物,尺寸2～5μm不等,如圖4(a)所示。將晶片中含有夾雜物區(qū)域進行解離,在SEM下尋找暴露在解離表面的夾雜物。圖4(b)為夾雜物的SEM照....

圖1(a)?54mm×25mm的CdSe單晶錠;(b)不同尺寸的CdSe晶柱

以純度為99.9999%的CdSe多晶料為原料,選取(001)晶向為籽晶方向,采用HPVGF法進行CdSe單晶的生長。首先將籽晶和原料分別裝入干燥潔凈的PBN坩堝內,外層輔以石墨坩堝,并置于可形成垂直溫度梯度分布的晶體生長爐內。當生長腔室內的真空度低于0.01Pa后,以30～....

本文編號：3935614