隨著大尺寸顯示邊際效益遞減,傳統(tǒng)真空生產(chǎn)工藝弊端逐漸突顯,為噴墨打印薄膜晶體管(TFT)發(fā)展提供了獨特的機會。金屬氧化物薄膜晶體管(MOS-TFT)因工藝溫度低和高性能,是當(dāng)前研究的熱點,其噴墨打印制備的主要研究對象為半導(dǎo)體層。在顯示背板制備中,TFT電極同時作為單元互連導(dǎo)線,因此高性能電極的噴墨打印制備同樣具有重要的研究價值。由于噴墨打印技術(shù)本身的限制,當(dāng)前一般通過增加額外的工藝步驟來實現(xiàn)高均勻、高精度電極制備,顯著增加了TFT高性能電極制備成本。因此,從導(dǎo)電墨水、設(shè)備和工藝等角度出發(fā),對打印墨水液滴進(jìn)行更精細(xì)調(diào)控成為技術(shù)突破的關(guān)鍵,而噴墨打印新方法、新機制的探索是實現(xiàn)高性能電極直接圖形化制備的核心。噴墨打印固化薄膜均勻性取決于液相薄膜在蒸發(fā)過程流場的控制,而其高精度圖形化受限于微液滴融合機制。因此,本文研究內(nèi)容主要包括新型導(dǎo)電墨水的開發(fā)、液相薄膜的蒸發(fā)控制與流場調(diào)節(jié)、微液滴的融合機制以及最終高均勻、高精度電極薄膜的噴墨打印直接圖形化制備。主要研究成果如下:(1)提出利用“干燥微環(huán)境”調(diào)控“咖啡環(huán)”效應(yīng),其實質(zhì)是通過噴墨打印薄膜干燥的相互影響調(diào)節(jié)液相薄膜沿著其表面的蒸發(fā)均勻性,造成流...

【文章頁數(shù)】：133 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖1-1TFT密度發(fā)展趨勢

圖1-1TFT密度發(fā)展趨勢[1]Figure1-1Densitydevelopmenttendencyofthinfilmtransistors.1.2MOS-TFT電極噴墨打印制備研究1.2.1MOS-TFT的發(fā)展歷程薄膜晶體管的演變經(jīng)過了數(shù)十年的....

圖1-3MOS-TFT的典型器件結(jié)構(gòu)

華南理工大學(xué)博士學(xué)位論文1-3所示為MOS-TFT制造中采用的典型器件結(jié)構(gòu)。TFT結(jié)構(gòu)可通過柵漏電極的堆棧順序來確定。頂柵結(jié)構(gòu)優(yōu)點在于，絕緣體和電極可以作為備方法簡單，掩膜次數(shù)少。采用底柵頂接觸存在以下缺點：①背溝道暴背溝道會受到源漏電極圖形化或背溝道蝕刻工藝的損害。因....

圖1-7基于（a）光刻工藝和（b）溶液法自對準(zhǔn)TFT結(jié)構(gòu)制備

可以選擇性地固化柵極與源漏電極的非重疊部分，以實現(xiàn)自對準(zhǔn)目的（圖1-7b）。

圖1-8基于噴墨打印基板潤濕性的自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)TFT制備[70]

圖1-7基于（a）光刻工藝和（b）溶液法自對準(zhǔn)TFT結(jié)構(gòu)制備Figure1-7Preparationofself-alignedTFTstructurebasedon(a)photolithographyprocess,and(b)Solutio....

本文編號：3912455