<正>近期,中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員張凱與湖南大學(xué)教授潘安練、深圳大學(xué)教授張晗合作,在《自然-通訊》上報(bào)道了一種在硅等介質(zhì)基底上生長(zhǎng)高結(jié)晶性黑磷薄膜的方法。黑磷是一種具有高載流子遷移率、0.3～1.5eV隨厚度可調(diào)直接帶隙以及各向異性等優(yōu)異性質(zhì)的二維層狀半導(dǎo)體

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