針對(duì)不同基底偏壓下制備的MoSi₂薄膜呈現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)及性能的問(wèn)題,采用直流磁控濺射工藝,在單晶硅表面制備了MoSi₂薄膜。采用X射線衍射儀、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、原子力顯微鏡和納米壓痕儀等分析手段,探究了基底偏壓對(duì)磁控濺射沉積MoSi₂薄膜形貌結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)特性、組織和性能的影響。研究結(jié)果表明:不同基底偏壓制備的薄膜主要為六方相MoSi₂,且存在明顯的(111)面擇優(yōu)取向�；灼珘汉突诇囟鹊膮f(xié)同作用,使薄膜的自退火效應(yīng)更加明顯。隨著基底偏壓的增加,薄膜的結(jié)晶效果顯著提高,并出現(xiàn)四方相MoSi₂和Mo₅Si₃相。基底偏壓的增加使薄膜的厚度、彈性模量及納米硬度先上升后下降。當(dāng)基底偏壓為-100 V時(shí),薄膜的厚度、彈性模量及納米硬度達(dá)到最大值,分別為1 440 nm、192.5 GPa和10.56 GPa。

【文章頁(yè)數(shù)】：9 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 試驗(yàn)
    1.1 基體預(yù)處理
    1.2 薄膜的制備
    1.3 薄膜形貌表征及性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
    2.1 薄膜的物相分析
    2.2 薄膜的表面形貌
    2.3 薄膜的截面形貌及膜厚
    2.4 薄膜的力學(xué)性能
3 結(jié)論
    (1)基底偏壓顯著影響MoSi2薄膜的相結(jié)構(gòu)。
    (2)基底偏壓影響MoSi2薄膜的表面形貌。
    (3)基底偏壓影響MoSi2薄膜的生長(zhǎng)方式。
    (4)基底偏壓影響MoSi2薄膜的厚度、彈性模量及納米硬度。



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