為有效控制特定頻段的噪聲,基于Helmholtz共振腔陣列,通過Helmholtz共振腔短管位置的控制,設計了一種新型的局域共振型聲學超材料。利用COMSOL Multiphysics軟件求得新型聲學超材料的能帶圖和傳遞損失曲線,并與具有單一方向開口的Helmholtz共振腔陣列的傳遞損失曲線進行對比;同時,為分析新型聲學超材料的帶隙形成機理,求得了其在帶隙頻率范圍內的聲壓分布云圖。通過試驗測試了新型聲學超材料的吸聲性能。結果表明:新型聲學超材料的能帶圖中產(chǎn)生了2段較窄帶隙和1段較寬帶隙,在帶隙頻率范圍內,聲學超材料傳遞損失出現(xiàn)峰值;第1帶隙和第2帶隙較窄,原因是單個Helmholtz共振腔局域共振,聲波能量消耗少;第3帶隙較寬,原因是Helmholtz共振腔與其周期排列形成的外部波導聯(lián)合共振吸聲,消耗大量聲波能量。試驗測試結果與仿真計算結果較為吻合,新型聲學超材料可有效控制1 300～1 500 Hz和1 500～2 000 Hz頻率范圍內的噪聲。研究結果表明,所設計的新型局域共振型聲學超材料可有效實現(xiàn)中低頻減振降噪,為聲學超材料在中低頻的降噪控制研究提供了新的思路。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 基于Helmholtz共振腔陣列的聲學超材料的模型設計及吸聲性能仿真
    1.1 有限元模型的建立
    1.2 吸聲性能仿真
2 基于Helmholtz共振腔陣列的聲學超材料吸聲性能測試
3 結論



本文編號：3806025