通過磁控濺射法制備了不同含量SiC的鋁基復(fù)合薄膜。采用XRD、SEM、TEM和納米探針分析了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能。結(jié)果表明:SiC以納米級別的粒子態(tài)彌散分布于Al基體甚至以原子或者分子的狀態(tài)固溶于Al的晶體中。薄膜的硬度在僅含0.78at%SiC時就可達到3GPa,約為純Al薄膜的兩倍。隨SiC含量的提高,復(fù)合薄膜的硬度逐步提高,在SiC含量為8.84 at%時,復(fù)合薄膜的硬度達到5.6 GPa后,隨SiC含量的進一步提高,該薄膜結(jié)構(gòu)非晶化,硬度逐步降低。

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【文章目錄】：
1 試驗過程
2 試驗結(jié)果與討論
    2.1 復(fù)合薄膜的制備參數(shù)和成分
    2.2 復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)
    2.3 復(fù)合薄膜的硬度
3 結(jié)論



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