發(fā)布時間：2023-01-26 02:50

　　Ti O₂納米管陣列較大的禁帶寬度是導(dǎo)致其光催化效率較低的重要原因,采用磁控濺射、陽極氧化以及氣氛退火相結(jié)合的方法對TNAs改性后制備了Au負載N摻雜Ti O₂納米管陣列（Au@N-TNAs）,然后以甲基橙為目標污染物,進一步分析了Au@N-TNAs在不同Au負載量時光降解效率的變化情況。采用SEM、XRD、TEM和X射線光電子能譜（XPS）等對Au和N在Au@N-TNAs中的存在形式進行表征和分析,發(fā)現(xiàn)Au主要是負載在Ti O₂納米管陣列上,而N元素則是以摻雜的方式進入Ti O₂納米管陣列的晶格中。此外,在光降解試驗中發(fā)現(xiàn)通過Au負載與N摻雜相結(jié)合的方法對Ti O₂納米管陣列進行復(fù)合改性后,TiO₂納米管陣列的光催化效率得到顯著提升,其中20s-Au@N-TNAs具有最佳的光降解效率。但Ti-N薄膜中間的Au層太厚時會影響陽極氧化過程中Ti O₂納米管陣列的生長,而且過量的Au在退火處理時很難及時地擴散均勻,進而使得改性后的Ti O... 

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【文章目錄】：
0 引言
1 試驗
    1.1 Au@N-TNAs的制備
        1.1.1 Ti片預(yù)處理
        1.1.2 Au@N-Ti納米薄膜的制備
        1.1.3 Au@N-TNAs試樣的制備
    1.2 表征與測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 形貌分析
    2.2 物相分析(XRD)
    2.3 TEM分析
    2.4 表面元素價態(tài)分析
    2.5 光催化性能分析
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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[3]Si摻雜TiO2納米管陣列制備、表征及其光催化氧化降解室內(nèi)典型VOCs[J]. 鄒學軍,李新勇,曲振平,王疆疆.  環(huán)境科學. 2011(12)
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本文編號：3732083