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低電場(chǎng)下耐疲勞La摻雜PbZrO 3 薄膜的儲(chǔ)能特性及溫度穩(wěn)定性研究(英文)

發(fā)布時(shí)間:2022-12-04 16:55
  為了滿足惡劣環(huán)境下低功耗脈沖功率器件的需求,具有超高儲(chǔ)能密度和溫度穩(wěn)定性的靜電儲(chǔ)能電容器受到廣泛關(guān)注.本研究在較低的電場(chǎng)激勵(lì)作用和極寬的溫度范圍內(nèi)獲得了高儲(chǔ)能性能的反鐵電薄膜.采用溶膠-凝膠法制備了La摻雜的Pb Zr O3薄膜,在~800 k V cm-1電場(chǎng)下,室溫下可釋放儲(chǔ)能密度34.87 J cm-3,儲(chǔ)能效率為59.23%.此外,該儲(chǔ)能特性具有優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性(210°C下儲(chǔ)能密度為27.98 J cm-3)、抗疲勞特性(3×10~9次循環(huán)后無(wú)明顯疲勞)以及頻率穩(wěn)定性(儲(chǔ)能密度:39.78–29.32 J cm-3;儲(chǔ)能效率:61.03%–44.95%)(測(cè)試頻率10–5000 Hz,電場(chǎng)為~900 k V cm-1).反鐵電薄膜儲(chǔ)能性能提升主要是由于La Ni O3緩沖層以及摻雜產(chǎn)生鉛空位而引起的高極化值(Pmax約為103.7μC cm-2)和較低的剩余極化(Pr

【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)

【文章目錄】:
INTRODUCTION
EXPERIMENTAL SECTION
    Material preparation
    Characterization
RESULTS AND DISCUSSION
    Structural characterization
    Hysteresis loops of the PLZO thin films
    Energy storage performance of the thin films and temperature stability studies
CONCLUSIONS


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]提高超級(jí)電容器能量密度的路線:進(jìn)步和展望(英文)[J]. 吳宇,曹傳寶.  Science China Materials. 2018(12)



本文編號(hào):3708642

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