采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在PMMA基體上制備了ITO涂層。利用XRD、SEM對(duì)涂層進(jìn)行了相結(jié)構(gòu)的分析,并進(jìn)行了劃痕實(shí)驗(yàn)、光電性能測(cè)試。結(jié)果表明:偏壓、氫氬流量比等工藝參數(shù)對(duì)涂層的相結(jié)構(gòu)、膜基結(jié)合力、光電性能均有影響。增大偏壓,膜基結(jié)合力將增強(qiáng),偏壓達(dá)到240 V時(shí),膜基結(jié)合力最好（56.5 N）。偏壓由0 V增加到160 V的過(guò)程中,涂層晶粒增大,透射率變高（由82.24%增至89.82%）,電阻率變低（由0.006571減至0.000543?·cm）。當(dāng)氫氬流量比由0增至0.05,透射率變低（由89.82%減至56.12%）。氫氬流量比由0增至0.03,電阻率變低（由0.000 543減至0.000 212?·cm）;氫氬流量比由0.03增至0.05,電阻率變高由0.000 212增至0.000 373?·cm)。 

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【文章目錄】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
    2.1 Phase structure of coating
    2.2 Bonding strength of coating
    2.3 Photoelectric properties of coating
        2.3.1 Transmittance
        2.3.2 Resistivity
3 Conclusions



本文編號(hào)：3701014