發(fā)布時間：2022-07-14 11:32

　　基于過渡金屬硫族化合物的二維材料異質結,由于其在下一代高性能集成光電子器件中的潛在應用而備受關注.雖然目前異質結制備很廣泛,但是外延生長具有干凈銳利界面的原子級別厚度金屬-半導體異質結仍然備受挑戰(zhàn).另外,基于金屬-半導體異質結的光電性能還鮮有研究.這里,我們報道了高質量垂直金屬-半導體異質結的合成,其中金屬性質的單層NbS₂外延生長于單層MoS₂表層.使用NbS₂作為電極接觸的MoS₂晶體管,其遷移率和電流開關比相對于Ti/Au接觸的MoS₂晶體管分別提升了6倍和2個數量級.另外,基于NbS₂作為電極接觸的MoS₂光電探測器,其響應時間和光響應可以分別提升至少30倍和20倍.本工作通過簡單的化學氣相沉積（CVD）方法制備的原子級別厚度的金屬-半導體異質結和二維金屬材料在接觸方面的作用為其在光電子器件中的應用奠定了基礎. 

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