硅通孔（TSV）技術(shù)是三維集成電路中的關(guān)鍵技術(shù),對(duì)信號(hào)傳輸以及熱量的傳導(dǎo)起到關(guān)鍵的作用,其熱可靠性的問題一直都是研究熱點(diǎn)�；贑omsol Mulitiphsics平臺(tái),通過有限元仿真分析,研究了金屬基復(fù)合材料對(duì)TSV熱應(yīng)力的影響。并進(jìn)一步研究了在不同通孔直徑以及不同TSV高度下,碳納米管（CNTs）、碳納米管鋁（CNTs/Al）以及碳納米纖維銅（CNFs/Cu）等復(fù)合材料和傳統(tǒng)金屬材料的等效熱應(yīng)力情況。結(jié)果表明:與傳統(tǒng)金屬材料相比,金屬基復(fù)合材料CNTs/Al以及CNFs/Cu均能有效降低TSV的熱應(yīng)力,提高TSV的熱可靠性;并且對(duì)于CNTs含量不同的金屬基復(fù)合材料,其TSV的等效熱應(yīng)力也會(huì)有所不同,需綜合考慮合理選擇CNTs的含量。 

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

圓柱型TSV簡化模型

網(wǎng)格劃分后的TSV模型

不同金屬層填充材料的熱應(yīng)力仿真圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]硅通孔形狀和填充材料對(duì)熱應(yīng)力的影響[J]. 魏麗,陸向?qū)?郭玉靜.  南京理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2018(03)
[2]多種結(jié)構(gòu)硅通孔熱應(yīng)力仿真分析[J]. 薛彤,張國華,楊軼博.  微電子學(xué). 2015(06)



本文編號(hào)：3659393