發(fā)布時(shí)間：2022-02-20 21:23

　　隨著科技的發(fā)展,傳統(tǒng)的單相聚合物材料或高介電陶瓷已經(jīng)不能滿足實(shí)際的應(yīng)用,尤其是在電容器和高儲(chǔ)能密度器件等領(lǐng)域。陶瓷/聚合物集合了兩相優(yōu)點(diǎn),在提高介電性能的同時(shí),又具有高分子材料優(yōu)越的力學(xué)性能和易加工性。其中關(guān)鍵的步驟是如何選擇合適的無(wú)機(jī)填料。在制備無(wú)機(jī)/聚合物復(fù)合材料方面最為廣泛應(yīng)用的無(wú)機(jī)高介電填料有Pb（Zr,Ti）O3（PZT）,BaTiO3（BT）,和Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3（PMN-PT）和其它鐵電陶瓷顆。近年來(lái),KxNa1-xNbO3（KNN）作為一種無(wú)鉛陶瓷被廣泛的研究,由于其優(yōu)越的鐵電和壓電性能以及對(duì)環(huán)境的友好性等優(yōu)點(diǎn)。此外,在高頻應(yīng)用方面,被作為先進(jìn)鐵電材料的固溶體KNN在寬頻范圍內(nèi),有著介電常數(shù)高、介電損耗低、老化率和平面耦合系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)。本文通過(guò)傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備了KNN粉末。SEM和EDS分別表征了其顆粒的形貌和組成成分:KNN粒子的尺寸大約為1μm,而且其中的K元素和Na元素的比例為1:1,表明成功制備了K0.5Na0.5NbO3陶瓷粉末。本文采用溶液共混法制備了高介電KNN/PVDF復(fù)合薄膜,并且用FT-IR、XRD、SEM、介電測(cè)試對(duì)復(fù)... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁(yè)數(shù)】：52 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景
    1.2 高介電聚合物基復(fù)合材料
        1.2.1 高介電聚合物基復(fù)合材料概述及應(yīng)用
        1.2.2 高介電復(fù)合材料的合成方法
        1.2.3 高介電復(fù)合材料的介電機(jī)理及數(shù)學(xué)模型
    1.3 國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展
        1.3.1 鈮酸鉀鈉的性質(zhì)和應(yīng)用
        1.3.2 聚偏二氟乙烯的性質(zhì)和應(yīng)用
        1.3.3 高介聚合物基復(fù)合材料的研究進(jìn)展
    1.4 本論文的研究意義及主要內(nèi)容
        1.4.1 本論文的研究意義
        1.4.2 主要研究?jī)?nèi)容
第2章 鈮酸鹽/聚偏二氟乙烯復(fù)合薄膜的制備
    2.1 鈮酸鉀鈉粉體的制備
        2.1.1 制備方法
        2.1.2 主要原料及儀器設(shè)備
        2.1.3 陶瓷制備過(guò)程
    2.2 KNN/PVDF復(fù)合薄膜的制備
        2.2.1 主要原料及設(shè)備
        2.2.2 KNN/PVDF復(fù)合薄膜制備過(guò)程
    2.3 本章小結(jié)
第3章 KNN/PVDF復(fù)合薄膜的表征
    3.1 KNN粉體結(jié)構(gòu)表征
        3.1.1 KNN粉體X射線衍射分析
        3.1.2 KNN粉體SEM和EDS分析
    3.2 KNN/PVDF復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)表征
        3.2.1 KNN/PVDF復(fù)合薄膜紅外光譜測(cè)試
        3.2.2 KNN/PVDF復(fù)合薄膜X射線衍射分析
        3.2.3 KNN/PVDF復(fù)合薄膜SEM圖
    3.3 本章小結(jié)
第4章 KNN/PVDF復(fù)合薄膜介電性能研究
    4.1 KNN/PVDF復(fù)合薄膜中的滲流現(xiàn)象
    4.2 KNN/PVDF復(fù)合薄膜的介電頻率譜
    4.3 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及申請(qǐng)的專利
致謝



本文編號(hào)：3635827