本文應(yīng)用鎵金屬液滴作為催化劑,采用化學(xué)氣相沉積方法自催化合成了單晶GaSb納米線.研究表明該GaSb納米線為典型的p型半導(dǎo)體,霍爾遷移率為> 0.042 cm²V^-1s^-1.硅基和柔性襯底上構(gòu)筑的基于GaSb納米線的光電探測器,具有良好的紫外-可見-近紅外寬光譜探測性能.硅基器件對(duì)500 nm的可見光響應(yīng)率可達(dá)3.86×10³A W^-1,探測率可達(dá)3.15×10¹³Jones;柔性器件在保持相似光電性能的同時(shí),具有極好的機(jī)械柔韌性和穩(wěn)定性.本文有助于更好地揭示自催化生長的GaSb納米線的性能,并為進(jìn)一步設(shè)計(jì)基于GaSb納米線的功能光電器件打下了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ). 

【文章來源】：Science China Materials. 2020,63(03)EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Optoelectronic properties of single-crystalline GaInAsSb quaternary alloy nanowires[J]. 李夢姿,陳新亮,李洪來,張學(xué)紅,祁朝陽,王曉霞,范鵬,張清林,朱小莉,莊秀娟.  Chinese Physics B. 2018(07)
[2]Single-Crystalline In Ga As Nanowires for Room-Temperature High-Performance Near-Infrared Photodetectors[J]. Huang Tan,Chao Fan,Liang Ma,Xuehong Zhang,Peng Fan,Yankun Yang,Wei Hu,Hong Zhou,Xiujuan Zhuang,Xiaoli Zhu,Anlian Pan.  Nano-Micro Letters. 2016(01)



本文編號(hào)：3599432