針對選擇性激光燒結(jié)技術(shù)（SLS）成型陶瓷材料致密性低、力學性能差的問題,采用選擇性激光燒結(jié)技術(shù)（SLS）與聚合物浸漬裂解技術(shù)（PIP）相結(jié)合的方法,以碳化硅、環(huán)氧樹脂和聚碳硅烷為原料,制備SiC/SiC陶瓷基復合材料。研究選擇性激光燒結(jié)工藝參數(shù)、試件尺寸精度、微觀結(jié)構(gòu)及彎曲性能。結(jié)果表明:通過SLS/PIP技術(shù)可有效降低碳化硅陶瓷試件的孔隙率,試件密度為2.45 g/cm³,彎曲強度達到138.28 MPa。該方法可以實現(xiàn)傳統(tǒng)方法無法解決的表面及內(nèi)部復雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷基復合材料的制備問題。 

【文章來源】：哈爾濱理工大學學報. 2020,25(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

SLS/PIP技術(shù)制備SiC/SiC陶瓷基

經(jīng)過不同周期PIP處理后的SiC/SiC

SLS/PIP技術(shù)制備SiC/SiC陶瓷基

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于SLS/CIP工藝SiC陶瓷的制備及其性能[J]. 陳鵬,朱小剛,吳甲民,王聯(lián)鳳,史玉升.  材料工程. 2019(03)
[2]Si粉粒徑及其添加量對SiC陶瓷材料結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 馬麗君,李文鳳,黃慶飛,謝育波,侯永改.  金剛石與磨料磨具工程. 2018(04)



本文編號：3571319