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單分子二維范德華異質(zhì)結(jié)的層間電輸運(yùn)性質(zhì)

發(fā)布時(shí)間:2021-11-17 10:03
  <正>隨著集成電路和芯片的快速發(fā)展,電子器件小型化是電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì),而這將導(dǎo)致其工藝和研發(fā)成本大幅增加,同時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱耗散、量子隧穿效應(yīng)、強(qiáng)電場(chǎng)等一系列技術(shù)難題.通過(guò)"自下而上"的方式構(gòu)筑單分子電子器件,是未來(lái)集成電路器件小型化進(jìn)程中重要的潛在選項(xiàng)之一.2020年5月30日,洪文晶教授課題組、楊揚(yáng)副教授課題組和歐洲科學(xué)院柯林·蘭伯特院士課題組于Science Advances期刊在線發(fā)表研究論文[1],報(bào)道了單分子二維范德華異質(zhì)結(jié)器件的構(gòu)筑及其電輸運(yùn)性質(zhì).文中基于二維材料范德華異質(zhì)結(jié)和有機(jī)分子的優(yōu) 

【文章來(lái)源】:廈門(mén)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,59(04)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:1 頁(yè)

【部分圖文】:

單分子二維范德華異質(zhì)結(jié)的層間電輸運(yùn)性質(zhì)


石墨烯單分子二維范德華異質(zhì)結(jié)的層間輸運(yùn)示意圖(a)以及層間輸運(yùn)和面內(nèi)輸運(yùn)的輸運(yùn)規(guī)律(b)

示意圖,異質(zhì)結(jié),分子,二維


石墨烯單分子二維范德華異質(zhì)結(jié)的層間輸運(yùn)示意圖(a)以及層間輸運(yùn)和面內(nèi)輸運(yùn)的輸運(yùn)規(guī)律(b)


本文編號(hào):3500684

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