研究了高密度聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料的屏蔽性能和力學(xué)性能,通過(guò)屏蔽仿真比較了密度及碳化硼（B₄C）含量對(duì)屏蔽性能的影響,通過(guò)試驗(yàn)比較了B₄C含量對(duì)屏蔽性能、彎曲強(qiáng)度及沖擊強(qiáng)度的影響。仿真結(jié)果表明,隨聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料密度升高,快中子屏蔽性能下降,熱中子屏蔽性能和γ屏蔽性能提高;保持聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料密度不變,隨B₄C含量的提高,中子屏蔽性能提高而γ屏蔽性能下降;實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,隨B₄C含量的升高,高密度聚乙烯/鉛硼材料的快中子屏蔽性能、熱中子屏蔽性能升高,γ屏蔽系數(shù)下降,沖擊強(qiáng)度和彎曲強(qiáng)度下降明顯,屏蔽性能測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果規(guī)律性相符;綜合仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,含B₄C 2%左右的高密度聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料同時(shí)具有較好的屏蔽性能和力學(xué)性能。 

【文章來(lái)源】：中國(guó)塑料. 2020,34(01)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【部分圖文】：

中子屏蔽性能仿真模型

采用超級(jí)蒙卡SUPERMC建立γ屏蔽性能三維仿真模型，如圖2所示。γ輻射源為60Co點(diǎn)源，經(jīng)屏蔽裝置準(zhǔn)直后從準(zhǔn)直口照射到屏蔽材料，屏蔽材料后方50 cm處設(shè)置計(jì)數(shù)球，分別計(jì)算有、無(wú)屏蔽測(cè)試樣板時(shí)γ注量，然后按式（4）計(jì)算γ屏蔽系數(shù)，通過(guò)γ屏蔽系數(shù)比較屏蔽性能的優(yōu)劣，屏蔽系數(shù)高的材料屏蔽性能較好。式中Kγ——γ屏蔽系數(shù)

通過(guò)仿真計(jì)算數(shù)據(jù)比較密度對(duì)鉛硼聚乙烯的γ屏蔽性能的影響，如圖4所示。隨鉛硼聚乙烯密度上升，γ屏蔽性能呈線性上升。圖4 仿真計(jì)算密度對(duì)聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料γ屏蔽性能的影響

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]中子和伽馬射線綜合屏蔽材料研究進(jìn)展[J]. 何林,蔡永軍,李強(qiáng).  材料導(dǎo)報(bào). 2018(07)
[2]中子輻照鉛硼聚乙烯致次級(jí)γ劑量模擬研究[J]. 張磊,賈銘椿,龔軍軍,夏文明,陳君軍.  核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2017(06)
[3]鉛硼聚乙烯復(fù)合屏蔽材料成分配比優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 李曉玲,余方偉,孫霖,吳榮俊,陳艷,左亮周.  艦船科學(xué)技術(shù). 2015(12)
[4]硼聚乙烯與鉛硼聚乙烯屏蔽性能測(cè)試與模擬分析[J]. 李圓圓,朱常桂,代勝平,楊靜.  輻射防護(hù). 2013(01)
[5]252Cf源中子輻照裝置的設(shè)計(jì)及性能測(cè)試[J]. 孟憲芳,曾心苗,劉元理,秦培中,王強(qiáng),郭廣水,鄭金美,許自炎,陸永俊.  核技術(shù). 2011(05)
[6]鉛硼聚乙烯等材料的DT中子透射性能研究[J]. 朱傳新,蔣家橋,婁本超.  核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2009(05)
[7]高效能屏蔽材料鉛硼聚乙烯[J]. 呂繼新,陳建廷.  核動(dòng)力工程. 1994(04)

碩士論文
[1]鉛硼聚乙烯復(fù)合材料的制備及性能研究[D]. 何潘婷.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3498540