為了研究碳/碳-碳化硅復(fù)合材料在再入飛行環(huán)境中的性能,采用化學(xué)氣相滲透的方法制備碳/碳-碳化硅復(fù)合材料試件,將試件置于再入模擬環(huán)境中進(jìn)行飛行試驗,測量試驗臺熱等離子體射流場的工作參數(shù),并分析碳/碳-碳化硅復(fù)合材料的性能。結(jié)果表明,在等離子體發(fā)生器的出口處,射流場的熱動力學(xué)參數(shù)呈拋物線分布;復(fù)合材料在不同區(qū)域的燒蝕形貌有很大的差異,燒蝕率和燒蝕機(jī)理不同:駐點區(qū)以氣化反應(yīng)消耗為主,其線燒蝕率為0.0373 mm/s,質(zhì)量燒蝕率為0.0363 g/s,其他區(qū)域為氧化反應(yīng)和裂解共同作用的結(jié)果,其燒蝕率逐漸降低。 

【文章來源】：真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2020,40(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 燒蝕實驗
    1.1 實驗材料
    1.2 再入環(huán)境氣動參數(shù)分析
    1.3 實驗原理
    1.4 實驗方法
2 實驗結(jié)果
    2.1 C/C-SiC復(fù)合的燒蝕率
    2.2 C/C-SiC復(fù)合的燒蝕形貌及機(jī)理分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]化學(xué)氣相滲透制備C/C-SiC摩擦材料的微觀結(jié)構(gòu)及摩擦行為研究[D]. 時啟龍.中南大學(xué) 2012



本文編號：3494706