水熱法制備不同形貌的Bi 2 S 3 微/納米材料
發(fā)布時(shí)間:2021-10-19 15:31
采用一步水熱法,不需要任何的模板和表面活性劑,僅通過(guò)改變反應(yīng)溶劑,成功地制備出了不同形貌的正交相Bi2S3微/納米材料。利用XRD、FE-SEM、TEM、HR-TEM和SAED對(duì)其結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征,對(duì)所制備的Bi2S3微/納米材料的形成機(jī)理進(jìn)行了探討。吸收光譜的測(cè)量表明,由于尺寸效應(yīng),Bi2S3微/納米材料的帯隙與體材料相比均發(fā)生了明顯的藍(lán)移。
【文章來(lái)源】:實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理. 2017,34(09)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【部分圖文】:
升溫到150℃時(shí)不同恒溫時(shí)間所得Bi2S3樣品的FE-SEM照片2.3樣品的吸收光譜分析圖5是不同反應(yīng)溶劑下Bi2S3樣品的吸收光譜。對(duì)于Bi2S3這種直接帯隙半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō),其吸收系數(shù)α與入射光光子能量hν之間存在如下關(guān)系[12]:
圖3HR-TEM和SAED圖圖4乙二醇為溶劑、升溫到150℃時(shí)不同恒溫時(shí)間所得Bi2S3樣品的FE-SEM照片2.3樣品的吸收光譜分析圖5是不同反應(yīng)溶劑下Bi2S3樣品的吸收光譜。對(duì)于Bi2S3這種直接帯隙半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō),其吸收系數(shù)α與入射光光子能量hν之間存在如下關(guān)系[12]:50實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]硫化鉍納米棒的制備及性能研究[J]. 張小敏,李村,吳振玉,朱維菊. 安徽大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2013(04)
[2]Bi2S3納米材料研究進(jìn)展[J]. 王艷,黃劍鋒,曹麗云,吳建鵬,賀海燕. 陶瓷. 2010(08)
[3]水熱法合成不同形貌的Bi2S3納米結(jié)構(gòu)[J]. 姚國(guó)光,馬紅,朱剛強(qiáng). 人工晶體學(xué)報(bào). 2009(06)
[4]離子液介質(zhì)中硫化鉍單晶納米棒制備與表征[J]. 趙榮祥,徐鑄德,李赫,許慧麗. 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2007(05)
本文編號(hào):3445136
【文章來(lái)源】:實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理. 2017,34(09)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【部分圖文】:
升溫到150℃時(shí)不同恒溫時(shí)間所得Bi2S3樣品的FE-SEM照片2.3樣品的吸收光譜分析圖5是不同反應(yīng)溶劑下Bi2S3樣品的吸收光譜。對(duì)于Bi2S3這種直接帯隙半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō),其吸收系數(shù)α與入射光光子能量hν之間存在如下關(guān)系[12]:
圖3HR-TEM和SAED圖圖4乙二醇為溶劑、升溫到150℃時(shí)不同恒溫時(shí)間所得Bi2S3樣品的FE-SEM照片2.3樣品的吸收光譜分析圖5是不同反應(yīng)溶劑下Bi2S3樣品的吸收光譜。對(duì)于Bi2S3這種直接帯隙半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō),其吸收系數(shù)α與入射光光子能量hν之間存在如下關(guān)系[12]:50實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]硫化鉍納米棒的制備及性能研究[J]. 張小敏,李村,吳振玉,朱維菊. 安徽大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2013(04)
[2]Bi2S3納米材料研究進(jìn)展[J]. 王艷,黃劍鋒,曹麗云,吳建鵬,賀海燕. 陶瓷. 2010(08)
[3]水熱法合成不同形貌的Bi2S3納米結(jié)構(gòu)[J]. 姚國(guó)光,馬紅,朱剛強(qiáng). 人工晶體學(xué)報(bào). 2009(06)
[4]離子液介質(zhì)中硫化鉍單晶納米棒制備與表征[J]. 趙榮祥,徐鑄德,李赫,許慧麗. 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2007(05)
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